[发明专利]铜基纳米结构体、其制备方法、透明导电膜及电子装置有效
申请号: | 202010201288.4 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111715888B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 吴嘉名;谭诗圻 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/054;B22F1/145;H01B1/02;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 高钊;王静 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 结构 制备 方法 透明 导电 电子 装置 | ||
本发明提供一种制备铜基纳米结构体的方法,包括下列步骤:(I)在溶剂中混合碱金属氢氧化物、络合剂和铜源物质,以得到混合物溶液,其中所述铜源物质在溶剂中难以离子化;以及(II)向所述混合物溶液中加入还原剂,以还原生成铜基纳米结构体。本发明还提供了铜基纳米结构体、透明导电膜以及一种电子装置。根据本发明,能够得到杂质离子含量很低的铜基纳米结构体,从而改善其稳定性等,由此得到导电性等提高的透明导电膜以及一种电子装置。
技术领域
本发明涉及新型导电材料领域,特别涉及一种能够导电的铜基纳米结构材料,其制备方法及其在透明导电膜和电子装置中的应用。
背景技术
透明导体(例如铟锡氧化物(ITO))将金属的导电性与玻璃的光学透明性组合,并且可用作电子装置(例如显示装置)的部件。对ITO而言,柔性可能成为主要的挑战,ITO似乎并不适合下一代的显示装置、照明装置或光伏器件。这些担忧促使人们利用常规材料和纳米材料来研究替代品。有很多用于开发ITO替代品的技术方案,并且这些可供替代的方案在以下四个方面展开竞争:价格、导电性、光学透明性和物理回弹性。
已经研究了柔性透明导电涂层,其能够在透过可见光的同时传导电流。透明导电涂层已经尝试使用的制备材料包括石墨烯、导电聚合物和金属网状网络。金属网状网络(例如金属网格和金属纳米材料网络)更适合于对导电率有要求的电子设备领域应用。与电镀金属网格不同,金属纳米材料可用于具有任何不同曲率的基板表面,可广泛运用于制造油墨或糊剂形式的透明导电涂层。
银纳米材料目前已用于制造透明导电涂层。然而,当使用银作为电极时,由于电迁移,银离子倾向于从阳极跃迁到阴极,从而最终导致电极短路。因此,市场正在寻求一种不会出现电子跃迁效应的透明导电油墨。由于铜基材料本身具有较低的阳极溶解度和较高的电迁移活化能,因此铜是透明导电油墨的最佳选择。此外铜的导电性与银相似,铜的原料成本仅为银的1/100左右。因此,用于透明导电涂层应用的铜基纳米材料有迫切的开发需求。
发明内容
本发明提供了一种制备铜基纳米材料的新方法。该方法通过新型化学还原方式制备了高纯度的铜基纳米结构体,如铜纳米线或者铜纳米颗粒。本发明的方法具有环保、大规模合成以及条件温和的优点。
具体来说,本发明提供了:
一种制备铜基纳米结构体的方法,包括下列步骤:
(I)在溶剂中混合碱金属氢氧化物、络合剂和铜源物质,以得到混合物溶液,其中所述铜源物质在溶剂中难以离子化;
(II)向所述混合物溶液中加入还原剂,以还原生成铜基纳米结构体。
其中所述铜基纳米结构体为铜纳米线、铜纳米颗粒或者其混合物。
其中所述铜纳米线的平均直径为1-100nm,优选为20-40nm,长度为1-100μm,优选为70-90μm,以及长径比为300-1000,优选为600-900;任选地,所述铜纳米颗粒的平均直径为1-100nm,优选为20-40nm。
其中所述碱金属氢氧化物选自氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯和其任意组合中的至少一者。
其中所述络合剂是具有单个胺基或多个胺基的烃,例如乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、聚乙烯亚胺或其任意组合。
其中所述铜源物质选自铜、氢氧化铜、氧化铜、碳酸铜、碳酸氢铜或上述的混合物。
其中所述还原剂选自还原糖、肼、羟胺、1-十八烷醇、油醇、1,2-十六烷二醇及其任意组合中的至少一者。
其中所述溶剂选自水、醇、烷烃及其任意组合中的至少一者。
加热的温度为50℃至150℃。
所述还原性钝化剂选自硅烷、硫醇、膦、磷酸盐、甜菜碱、有机脂肪酸及其混合物中的至少一者。
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