[发明专利]一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法在审
申请号: | 202010201857.5 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111370369A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 龚平;吴旗召 | 申请(专利权)人: | 西安唐晶量子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 衬底 发光 器件 分离 方法 | ||
1.一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法,包括:
提供一金属衬底,发光芯片阵列通过金属连接层与金属衬底正面相连,相邻发光器件之间形成间隙;
在金属衬底背面形成辅助图形;
激光束在衬底背面聚焦,并参考衬底背面的辅助图形对衬底背面进行烧蚀;
在衬底正面沿着背面激光烧蚀线在正面投影的中心位置进行劈裂,使得发光器件分离。
2.根据权利要求1所述的一种金属衬底发光器件的分离方法,其特征在于:所述的金属衬底由钨、铜和钼材料中的一种或多种组成。
3.根据权利要求1所述的一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法,其特征在于:金属衬底背面辅助图形的形成方法包含有光刻。
4.根据权利要求1所述的一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法,其特征在于:激光在衬底背面的烧蚀深度为衬底厚度的1/5-3/5。
5.根据权利要求1所述的一种金属衬底发光器件晶圆的分离方法,其特征在于:所述激光束波长为100-400nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安唐晶量子科技有限公司,未经西安唐晶量子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010201857.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造