[发明专利]半导体器件以及驱动半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一布线，包括：

第一部分；

不同于所述第一部分的第二部分；以及

不同于所述第一部分和所述第二部分的第三部分，并且所述第三部分被设置在所述第一部分和所述第二部分之间；

驱动器电路，被连接到所述第一部分，并且向所述第一布线供应第一电位；

多个存储器单元，被连接到所述第三部分；

第二布线，被连接到所述第一部分；

电位改变电路，所述电位改变电路不同于所述驱动器电路，并且向所述第二部分供应所述第一电位，

其中所述电位改变电路被连接到所述第二布线，并且向所述第二部分提供与所述第二布线的电位相对应的所述第一电位。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三部分包括第四部分和第五部分，所述第四部分被定位在与所述第一部分最靠近的部分中，并且所述第五部分被定位在与所述第二部分最靠近的部分中，

其中所述第一布线包括第六部分，所述第六部分不同于所述第一部分和所述第四部分，并且所述第六部分被定位在所述第一部分与所述第四部分之间，

其中所述电位改变电路包括场效应晶体管，所述场效应晶体管具有被连接到所述第六部分的栅极、被供应有所述第一电位的源极以及被连接到所述第二部分的漏极。

3.一种半导体器件，包括：

第一布线，包括第一部分、不同于所述第一部分的第二部分以及不同于所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第三部分被定位在所述第一部分与所述第二部分之间；

多个存储器单元，被连接到所述第三部分；

场效应晶体管，具有栅极和被连接到所述第二部分的漏极；

第二布线，被定位成与所述第一布线并联；

其中所述第三部分包括第四部分和第五部分，所述第四部分被定位在与所述第一部分最靠近的部分中，并且所述第五部分被定位在与所述第二部分最靠近的部分中，

其中所述第一布线包括第六部分，所述第六部分不同于所述第一部分和所述第四部分，并且所述第六部分被定位在所述第一部分与所述第四部分之间，

其中所述多个存储器单元包括被连接到所述第四部分的第一存储器单元、以及被连接到所述第五部分的第二存储器单元，并且

其中所述第二布线电连接在所述第六部分与所述场效应晶体管的所述栅极之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：驱动电路，

其中所述第一部分被连接到所述驱动电路的输出端子。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述场效应晶体管包括上拉晶体管，并且其中所述场效应晶体管的源极被连接到电源电位。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述场效应晶体管包括下拉晶体管，并且

其中所述场效应晶体管的源极被电连接到接地电位。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一布线和所述第二布线由相同层的金属布线层形成。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一布线由第一金属布线层形成，并且

其中所述第二布线由不同于所述第一金属布线层的第二金属布线层形成。

9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一布线是字线、位线或搜索线。

10.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：电位生成电路，所述电位生成电路生成第一电源电位；

其中所述第一布线包括字线，

其中所述多个存储器单元被供应有第二电源电位，

其中所述驱动器电路被供应有所述第一电源电位，并且基于所述第一电源电位来驱动所述字线，并且

其中在所述多个存储器单元的读取操作中，所述电位生成电路生成低于所述第二电源电位的所述第一电源电位。