[发明专利]一种铁电柔性逻辑运算器件及其制造方法在审
申请号: | 202010201958.2 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111524891A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 沈群东;刘佳豪;陈昕 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L27/11502 | 分类号: | H01L27/11502;H01L29/51 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 叶涓涓 |
地址: | 210000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 逻辑运算 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种铁电柔性逻辑运算器件,包括运算器本体,其特征在于:所述运算器本体包括柔性铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述的铁电柔性逻辑运算器件,其特征在于:所述柔性铁电薄膜由铁电高分子材料制成。
3.根据权利要求1所述的铁电柔性逻辑运算器件,其特征在于:所述柔性铁电薄膜包括以下物质中一种或其中若干种混合的复合材料:PVDF、P(VDF-X)或P(VDF-X-Y),其中X、Y为含氟或含氯的有机烯烃。
4.根据权利要求1所述的铁电柔性逻辑运算器件,其特征在于:所述含氟或含氯的有机烯烃包括以下物质中的一种或若干种的混合物:三氟乙烯、三氟氯乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、二氟氯乙烯、1,1-氟氯乙烯。
5.根据权利要求1所述的铁电柔性逻辑运算器件,其特征在于:所述柔性铁电薄膜上通过电极化形成运算逻辑。
6.一种铁电柔性逻辑运算器件的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,构建铁电逻辑门,形成运算真值表;
步骤2,根据运算真值表,采用铁电高分子材料选择不同的极化方式进行运算。
7.根据权利要求6所述的铁电柔性逻辑运算器件的制造方法,其特征在于,所述步骤1包括如下过程:
1)列举在离散逻辑模式下所有单目运算真值表;
2)列举在步骤1)的逻辑模式中所有或常用双目运算真值表;
3)将步骤2)列举的双目运算中任一输入替换成在步骤1)逻辑模式下所有合法输入并列出真值表;
4)在步骤1)列举的单目运算真值表中找到与步骤3)列出的真值表中相符合的单目运算;
5)列出步骤2)中双目运算与若干步骤1)中单目运算间对应关系。
8.根据权利要求7所述的铁电柔性逻辑运算器件的制造方法,其特征在于,所述步骤1)中逻辑模式包括布尔逻辑,三进制逻辑。
9.根据权利要求6所述的铁电柔性逻辑运算器件的制造方法,其特征在于,所述步骤2中铁电高分子材料具有普通铁电体的双稳态性质,还包含双稳态之间的介稳的中间极化状态。
10.根据权利要求6所述的铁电柔性逻辑运算器件的制造方法,其特征在于,所述步骤2利用铁电高分子不同极化状态之间的叠加过程来实现运算。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的