[发明专利]电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种电化学装置，其包含负极，所述负极包含负极集流体和负极活性材料层，所述负极活性材料层包含负极活性材料，所述负极活性材料包含石墨，其中：

当所述电化学装置在50％荷电状态下，通过X射线衍射法，所述负极活性材料的晶面间距为D1，

当所述电化学装置在100％荷电状态下，通过X射线衍射法，所述的负极活性材料的晶面间距为D2，

D1和D2满足(D2-D1)/D1≤0.55，当所述电化学装置在50％荷电状态下，通过X射线衍射法，所述D1在至的范围内，所述负极活性材料的002峰对应的2θ值在25.2000°2Th.至25.3000°2Th.的范围内，所述负极活性材料的峰面积在5000cts·°2Th.至50000cts·°2Th.的范围内，所述002峰的峰强度在5000cts至200000cts的范围内，所述002峰的半高宽在0.1200°2Th.至0.2100°2Th.的范围内。

2.根据权利要求1所述的电化学装置，其中当所述电化学装置在100％荷电状态下，通过热重分析法，所述负极活性材料层在280℃至300℃或320℃至400℃中的至少一者上存在热失重峰。

3.根据权利要求2所述的电化学装置，其中所述负极活性材料层的质量变化为-2.0％至2.3％。

4.根据权利要求1所述的电化学装置，其中通过红外光谱法，所述负极活性材料层在1150cm^-1至1250cm^-1处有红外吸收峰。

5.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述负极包含Ni、Mn、Cr、Fe、S、Si或Zn中的至少一种，基于所述负极活性材料层的总重量，所述Ni含量为0.001wt％至0.004wt％，所述Mn含量为0.001wt％至0.005wt％，所述Cr含量为0.001wt％至0.003wt％，所述Fe含量为0.005wt％至0.010wt％，所述S含量为0.002wt％至0.006wt％，所述Si含量不大于0.0053wt％，所述Zn含量为0.003wt％至0.005wt％。

6.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述负极活性材料层满足条件(a)至(e)中的至少一者：

(a)所述负极活性材料包含二次颗粒；

(b)当所述电化学装置在50％荷电状态下，所述负极活性材料层的厚度为0.13mm至0.16mm；

(c)所述负极活性材料层的压实密度为1.40g/cm³至1.80g/cm³；

(d)由X射线衍射法测定得到的所述负极活性材料层的(004)面的峰面积C004和(110)面的峰面积C110的比值C004/C110为7.5至16.7；

(e)所述负极活性材料层的孔隙率为25％至32％。

7.根据权利要求1所述的电化学装置，其中通过X射线衍射法，所述石墨沿垂直方向的晶粒尺寸Lc为29nm至32nm，所述石墨沿水平方向的晶粒尺寸La为160nm至165nm。

8.一种电子装置，其包含权利要求1-7中任一项所述的电化学装置。