[发明专利]一种三维多孔MnO2

权利要求书

1.一种三维多孔MnO₂纳米线印迹膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）MnO₂纳米线的制备：硫酸钾、过硫酸钾和一水合硫酸锰加入去离子水中搅拌均匀后转移至反应釜一段时间后热水洗涤得 MnO₂纳米线；

（2）MnO₂纳米线印迹聚合物的制备：取步骤（1）中制备的MnO₂纳米线分散至乙腈溶液中，加入青蒿琥酯、丙烯酰胺后在2~4℃下预聚，再加入乙二醇二甲基丙烯酸酯、偶氮二异丁腈，惰性气氛下水浴中振荡反应；去除产物中多余的青蒿琥酯后乙醇洗涤至中性，得到MnO₂纳米线印迹聚合物；

（3）三维多孔MnO₂纳米线印迹膜的制备：将聚偏氟乙烯粉末、食盐和步骤（2）中制备的MnO₂纳米线印迹聚合物混合后煅烧，冷却后洗涤去除多余食盐，真空干燥后制得三维多孔MnO₂纳米线印迹膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中硫酸钾、过硫酸钾、一水合硫酸锰和去离子水的摩尔比为1 : 2 : 1 : 88~118。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述反应釜的反应温度为230~270 ℃，反应时间为84~96 h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述MnO₂纳米线与乙腈的用量比为2.4 g ：60~80 mL。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中MnO₂纳米线与青蒿琥酯、丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈的用量比为2.4 g :14.1 ~42.3 mg :14.2~42.6 mg: 19.8~57.4 mg：7.5~22.5 mg。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述预聚的时间为2~4 h；所述的水浴中振荡反应中水浴温度为阶段性升温，具体为50 ℃反应2~3 h后，升温至60 ℃继续反应12~16h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的聚偏氟乙烯粉末、食盐和MnO₂纳米线印迹聚合物的质量比为2 g：14 g：0.16~0.8 g。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述煅烧的温度为200~240℃，时间为20~30 min；所述的洗涤为将煅烧后的产物浸泡在60~70 ℃的去离子水中12 h，每2h换一次水。

9.根据权利要求1~8任一项所述的制备方法制备的三维多孔MnO₂纳米线印迹膜，其特征在于，所述的印迹膜为三维多孔结构，MnO₂纳米线印迹聚合物负载在该膜的表面，MnO₂纳米线印迹聚合物占其总重的1%-5%。

10.根据权利要求9所述的三维多孔MnO₂纳米线印迹膜的在选择性识别和分离混合物中的青蒿琥酯的应用。