[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202010202595.4 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111223912B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 方旭阳;彭兆基;刘明星;王盼盼;张志远;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王文 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述显示面板包括层叠设置的多个膜层,所述多个膜层中的部分所述膜层被配置为透光层,至少部分层所述透光层覆盖所述第一显示区,所述显示面板包括:
至少一层光调制层,每层所述光调制层夹设于覆盖所述第一显示区的任意相邻所述透光层之间,所述光调制层被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设所述光调制层的相邻所述透光层之间的透过率,所述光调制层的折射率介于夹设所述光调制层的相邻所述透光层的折射率之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
衬底,被配置为所述透光层;
器件层组,位于所述衬底上,所述器件层组包括多个器件子层,所述多个器件子层中的至少部分层被配置为所述透光层;
发光元件层组,位于所述器件层组背离所述衬底的一侧;以及
封装层,位于所述发光元件层组背离所述衬底的一侧,所述封装层被配置为所述透光层,
其中,所述器件层组中至少部分层所述透光层、所述衬底、所述发光元件层组以及所述封装层覆盖所述第一显示区。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述器件层组包括:
缓冲层,位于所述衬底上;
栅绝缘层,位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧;
电容介质层,位于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧;
层间介质层,位于所述电容介质层背离所述衬底的一侧;
平坦化层,位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧,
其中,所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述电容介质层、所述层间介质层以及所述平坦化层被配置为所述透光层,所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述电容介质层、或所述层间介质层中的至少一者覆盖所述第一显示区。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一发光元件和第二发光元件,位于所述发光元件层组,所述第一发光元件设置于所述第一显示区,所述第二发光元件设置于所述第二显示区;
第一像素电路和第二像素电路,位于所述器件层组,所述第一像素电路与所述第一发光元件电连接,用于驱动所述第一发光元件显示,所述第二像素电路与所述第二发光元件电连接,用于驱动所述第二发光元件显示,其中,所述第一像素电路、所述第二像素电路均设置于所述第二显示区。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述器件层组还包括:
图案化的半导体结构,位于所述缓冲层与所述栅绝缘层之间;
图案化的金属结构,位于所述栅绝缘层与所述电容介质层之间、和/或位于所述电容介质层与所述层间介质层之间、和/或位于所述层间介质层与所述平坦化层之间,
其中,所述半导体结构、所述金属结构设置于所述第二显示区并避位所述第一显示区设置。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述器件层组还包括:
透光导线,将所述第一像素电路与所述第一发光元件电连接,其中,所述透光导线的至少部分位于所述第一显示区。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层覆盖所述第一显示区,所述缓冲层包括叠设的第一子缓冲层和第二子缓冲层,所述第二子缓冲层位于所述第一子缓冲层的背离所述衬底的一侧,所述至少一层光调制层包括以下中的至少任一:
第一光调制层,夹设于所述衬底与所述第一子缓冲层之间;
第二光调制层,夹设于所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一子缓冲层为氮化硅层,所述第二子缓冲层为氧化硅层,所述第一光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层;所述第二光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的