[发明专利]共模电感纳米晶磁芯的热处理方法在审
| 申请号： | 202010203060.9 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111354560A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 易明;王泽洋 | 申请（专利权）人： | 杭州曼德新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F13/00;C21D9/00 |
| 代理公司： | 杭州创智卓英知识产权代理事务所(普通合伙) 33324 | 代理人： | 唐超文 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 纳米 晶磁芯 热处理 方法 | ||
本发明涉及一种共模电感纳米晶磁芯的热处理方法，包括：一、将待处理的纳米晶磁芯放置于真空炉内并抽真空；二、温度由室温升至480℃‑490℃,并保温60min‑80min；三、温度由480℃‑490℃升至550℃‑555℃，并保温80min‑90min；四、将真空炉的炉温降至350℃及以下温度，待炉温降至350℃及以下温度后取出纳米晶磁芯半成品；五、将步骤四中的纳米晶磁芯半成品放置于横磁炉内；六、温度由室温升至400℃‑410℃，并保温120min，在保温过程中加横磁处理；七、将横磁炉的炉温降至350℃及以下温度，待横磁炉的炉温降至350℃及以下温度后取出纳米晶磁芯成品。本发明中的技术方案能够处理得到高导磁率的纳米晶磁芯成品，其具有较高的Q值，将其应用于高频环境下具有较好的滤波作用及较低的损耗。
技术领域
本发明涉及共模电感磁芯加工技术领域，特别是涉及一种共模电感纳米晶磁芯的热处理方法。
背景技术
共模电感也叫共模扼流圈，常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中，共模电感也是起EMI滤波的作用，用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。
目前，应用于高频环境下的共模电感常由于其内部磁芯的导磁率及Q值较低，而导致共模电感的滤波作用差、损耗较高。因此，目前急需解决的问提在于：如何提高共模电感磁芯的导磁率及Q值，以使共模电感能够适用于高频环境中。
发明内容
本发明的目的在于提供一种共模电感纳米晶磁芯的热处理方法，该热处理方法能够有效提高纳米晶磁芯的导磁率及Q值，以使装设有该纳米晶磁芯的共模电感应用于高频环境时具有较好的滤波作用并降低其损耗。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种共模电感纳米晶磁芯的热处理方法，包括：
步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置于真空炉内并抽真空；
步骤二、温度由室温升温至480℃-490℃,并保温60min-80min；
步骤三、温度由480℃-490℃升温至550℃-555℃，并保温80min-90min；
步骤四、将真空炉的炉体温度降至350℃及以下温度，待炉体温度降至350℃及以下温度后取出纳米晶磁芯半成品；
步骤五、将所述步骤四中的纳米晶磁芯半成品放置于横磁炉内；
步骤六、温度由室温升温至400℃-410℃，并保温120min，同时在保温过程中进行加横磁处理；
步骤七、将横磁炉的炉温降至350℃及以下温度，待横磁炉的炉温降至350℃及以下温度之后取出纳米晶磁芯成品。
优选地，上述步骤二中温度由室温升至480℃，之后保温60min。
优选地，上述步骤三中温度由480℃升温至550℃，之后保温80min。
优选地，所述步骤六中温度由室温升温至400℃，之后保温120min。
优选地，所述步骤六中横磁炉施加的磁场强度为1200Gs-1400Gs。
优选地，上述横磁炉施加的磁场强度为1300Gs。
优选地，步骤七中所述的纳米晶磁芯成品的Q值不低于0.95。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
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