[发明专利]存储器结构及其制造方法

说明书

本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。一些实施例的存储器结构包括衬底、位于衬底上的穿隧介电层以及位于穿隧介电层上的浮置栅极，其中衬底包含的源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例的存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层，以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例的存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区，且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁，其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。

技术领域

本发明有关于一种存储器结构及其制造方法，且特别有关于一种非易失性存储器结构及其制造方法。

背景技术

在非易失性存储器中，依据存储器内的数据能否在使用电脑时随时改写，可分为只读存储器与快闪存储器二大类产品。其中快闪存储器因成本较低，而逐渐成为非易失性存储器的主流技术。

一般而言，一个快闪存储器包含两个栅极，第一个栅极为储存数据的浮置栅极，而第二个栅极为进行数据的输入和输出的控制栅极。浮置栅极位于控制栅极的下方且为“漂浮”的状态。所谓漂浮指以绝缘材料环绕且隔离浮置栅极以防止电荷流失。控制栅极连接至字线以控制装置。快闪存储器的优点之一为可以区块-区块擦除数据。快闪存储器广泛地用于企业服务器、储存和网络科技，以及广泛的消费电子产品，例如随身碟快闪驱动装置、移动电话、数码相机、平板电脑、笔记本电脑的个人电脑插卡和嵌入式控制器等等。

虽然现存的非易失性存储器的形成方法已足够应付它们原先预定的用途，但它们仍未在各个方面皆彻底的符合要求，因此非易失性存储器的技术目前仍有需克服的问题。

发明内容

本发明的一些实施例揭示一种存储器结构，包括衬底和位于衬底上的穿隧介电层，其中衬底包含源极区域和漏极区域。一些实施例中，存储器结构亦包括位于穿隧介电层上的浮置栅极，源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例中，存储器结构还包括位于浮置栅极上的栅间介电层，以及位于栅间介电层上的控制栅极。一些实施例中，存储器结构还包括埋置于浮置栅极内的一掺杂区，且此掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁，其中掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。

本发明的一些实施例揭示一种存储器结构的制造方法，包括：提供衬底以及形成穿隧介电层于衬底上，其中衬底包含源极区域和漏极区域。一些实施例中，存储器结构的制造方法亦包括形成浮置栅极于穿隧介电层上，源极区域和漏极区域分别位于浮置栅极的相对两侧。一些实施例中，存储器结构的制造方法还包括形成栅间介电层于浮置栅极上。一些实施例中，一掺杂区形成于浮置栅极内，掺杂区的侧壁暴露于浮置栅极的侧壁，且掺杂区与栅间介电层彼此相隔开。一些实施例中，存储器结构的制造方法还包括形成一控制栅极于栅间介电层上。

附图说明

图1A-图1F是根据本发明的一实施例的制造存储器结构的不同中间阶段所对应的剖面示意图；

图2A-图2C是根据本发明的另一实施例的制造存储器结构的不同中间阶段所对应的剖面示意图；

图3为根据本发明一实施例的存储器结构的一个中间阶段所对应的剖面示意图；

图4A为一个传统的快闪存储器的剖面示意图；

图4B为根据本发明一实施例的一个存储器结构的剖面示意图。

附图标记：

101～基板；

103～穿隧介电材料层；

105～浮置栅极材料层；

107～栅间介电材料层；

107a、107b～栅间介电材料层的顶面；

109、GC～控制栅极；

111～掩膜层；

111a～掩膜层的顶面；