[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件在审
申请号: | 202010206479.X | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111739955A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 上山知纪 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0376;H01L31/0475;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:
晶体类的硅基片;
形成在所述硅基片的主面上的、含有磷作为杂质的磷掺杂层;和
非晶硅层,其具有形成在所述磷掺杂层上的本征非晶硅层、和形成在所述本征非晶硅层上的含有p型掺杂剂的p型非晶硅层,
所述本征非晶硅层含有所述p型掺杂剂,
所述本征非晶硅层的厚度方向上的所述p型掺杂剂的浓度,具有比所述磷掺杂层与所述本征非晶硅层的界面上的所述p型掺杂剂的浓度高的分布。
2.如权利要求1所述的太阳能单电池,其特征在于:
所述分布在从所述界面起的所述非晶硅层的厚度的20%以上且50%以下的范围具有极大点。
3.如权利要求1所述的太阳能单电池,其特征在于:
所述分布在从所述界面起的2nm以上且10nm以下的范围具有极大点。
4.如权利要求2或3所述的太阳能单电池,其特征在于:
所述极大点上的所述p型掺杂剂的浓度为1×1017/cm3以上且1×1020/cm3以下。
5.如权利要求1所述的太阳能单电池,其特征在于:
所述分布随着从所述界面向所述p型非晶硅层去单调增加。
6.一种太阳能电池模块,其特征在于,包括:
配置成二维状的、权利要求1~5中任一项所述的多个太阳能单电池;
配置于所述多个太阳能单电池的正面侧的正面保护部件;
配置于所述多个太阳能单电池的背面侧的背面保护部件;
配置在所述多个太阳能单电池与所述正面保护部件之间的正面填充部件;和
配置在所述多个太阳能单电池与所述背面保护部件之间的背面填充部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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