[发明专利]柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器及制造方法

权利要求书

1.一种柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，吸波器由相互阵列组合的多个的太赫兹手性超材料单元形成，使得吸波器在太赫兹波段具有至少两个吸收峰，所述太赫兹手性超材料单元包括，

单元柔性基底，其具有上表面和下表面，上表面到下表面的高度为H，所述太赫兹手性超材料单元的周期尺寸为L，单元柔性基底为正方形，其边长为L，

N瓣金属手性结构，其绕所述单元柔性基底中心对称排列，N为大于等于2的自然数，由手性超材料形成的所述金属手性结构包括，

第一圆环部分，其小于N分之一完整圆环，所述第一圆环部分水平布置在上表面，其内圆半径为R1，外圆半径为R2，其厚度为h，

长方体连接柱，其经由顺时针方向上所述第一圆环部分的第一端垂直向下延伸到下表面，所述长方体连接柱的长度为R2与R1之差，宽度为B，高度为H，

第二圆环部分，其小于N分之一完整圆环，所述第二圆环部分在下表面自所述长方体连接柱处朝逆时针方向水平延伸，其内圆半径与第一圆环部分的内圆半径相等，其外圆半径与第一圆环部分的外圆半径相等，其厚度与第一圆环部分的厚度相等，其中，第一圆环部分、长方形连接柱和第二圆环部分构成一体的“Z”形结构，N瓣金属手性结构的N个第一圆环部分和N个第二圆环部分相对于单元柔性基底存在角度错位，相邻的所述第一圆环部分间距为S，相邻的所述第二圆环部分间距为S，R1＜R2＜L。

2.根据权利要求1所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，长方体连接柱，其经由逆时针方向上所述第一圆环部分的第一端垂直向下延伸到下表面，第二圆环部分在下表面自所述长方体连接柱处朝顺时针方向水平延伸。

3.根据权利要求1所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，所述N瓣金属手性结构绕所述单元柔性基底中心对称排列。

4.根据权利要求1所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，N瓣金属手性结构与柔性基底相对旋转角度为0°到360°/N。

5.根据权利要求1所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，金属手性结构由以下材料制成，金、银、铜、铝、锌、镍、钨、铁、铬、钛、铂及其合金或聚合物与化合物。

6.根据权利要求1所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器，其特征在于，柔性基底包括柔性薄膜，其上表面和下表面均水平，柔性薄膜包括聚四氟乙烯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、苯丙环丁烯薄膜、派瑞林薄膜、聚丙烯薄膜、二氧化硅薄膜或其复合物。

7.一种权利要求1-6中任一项所述的柔性基底的太赫兹手性超材料吸波器的制造方法，其包括以下步骤，

第一步骤：获取H厚度的柔性薄膜；

第二步骤：采用离子束蚀刻或激光切割在柔性薄膜上按照长方体连接柱的位置及形状切割出矩形通孔；

第三步骤：分别在薄膜两面涂上正性光刻胶，在一面曝光矩形通孔图案，经过显影后曝光部分的光刻胶被除去，露出矩形通孔，然后使用电子束蒸镀或磁控溅射镀膜沉积金属填充满矩形通孔以形成长方体连接柱，去除薄膜两面的光刻胶；

第四步骤：薄膜的上表面涂上正性光刻胶，然后曝光第一圆环部分结构，显影将曝光部分的光刻胶去除，使用电子束蒸镀或磁控溅射镀膜沉积厚度为h的第一圆环部分结构，去除光刻胶后得到第一圆环部分结构与长方体连接柱相连的结构，

第五步骤：在薄膜下表面重复步骤四得到第二圆环部分结构，第一圆环部分、长方形连接柱和第二圆环部分构成一体的“Z”形结构。