[发明专利]相变存储器的形成方法

权利要求书

1.一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有底电极；

形成覆盖所述底电极表面的第一介电层；

在所述第一介电层内形成位于所述底电极上方的第一开口；

在所述第一开口内填充牺牲层，所述牺牲层内形成有孔洞；

刻蚀所述牺牲层，至所述孔洞的顶部以下，暴露出所述孔洞；

沿所述孔洞的开口刻蚀所述第一开口底部的第一介电层至所述底电极表面，形成位于所述第一开口下方的第二开口；

形成填满所述第二开口的第二相变层和填满第一开口的第一相变层；

对所述第一介电层和第一相变层进行平坦化，至暴露出所述第二相变层；

在所述第二相变层表面形成顶电极。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：通过沉积工艺，在所述第一开口内沉积牺牲层材料；所述牺牲层材料在填满所述第一开口之前，将所述第一开口封闭，在所述第一开口内形成所述孔洞。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺包括采用物理气相沉积工艺和化学气相沉积工艺两者来控制所述孔洞的尺寸。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺还包括采用原子层沉积工艺来控制所述孔洞的尺寸。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一开口和所述第二开口的侧壁表面形成侧墙。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层时，所述牺牲层和所述第一介电层的刻蚀选择比大于10:1；沿所述孔洞的开口刻蚀所述第一开口底部的第一介电层时，所述第一介电层和所述牺牲层的刻蚀选择比大于10:1。

7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在填充所述牺牲层之前，在所述第一介电层表面形成阻挡层。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：刻蚀所述阻挡层和所述第一介电层形成初始开口；对所述初始开口的侧壁进行刻蚀，形成所述第一开口，使得所述第一开口边缘位于所述阻挡层下方。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述孔洞底部与所述第一开口底部之间的距离为20nm～30nm；所述孔洞顶部距离所述第一介电层顶部的距离为0nm～30nm。

10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在对所述第一介电层和第一相变层进行平坦化之后，对所述第二相变层进行退火处理。