[发明专利]一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷方法有效
| 申请号： | 202010207286.6 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111403504B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王建立;陈涛;刘昌华;曹景太;李洪文;刘洋;张恒 | 申请（专利权）人： | 长春长光奥闰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/024 | 分类号： | H01L31/024;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人： | 任立晨 |
| 地址： | 130000 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大靶面 探测器 阵列 多级 半导体 制冷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置，其特征是：包括大靶面探测器(1)、冷板(2)、阵列式多级半导体制冷器(3)和热沉(4)；
所述大靶面探测器(1)与冷板(2)之间采用高导热的环氧树脂胶粘接，所述阵列式多级半导体制冷器(3)冷端与冷板(2)之间、阵列式多级半导体制冷器(3)热端与热沉(4)之间均采用低温焊料焊接；所述低温焊料指熔点200℃的焊料；
熔融的低温焊料冷却后，在焊缝处形成金相组织，使阵列式多级半导体制冷器(3)与冷板(2)和热沉(4)之间形成无隙的金属连接。
2.根据权利要求1所述的一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置，其特征在于：所述冷板(2)的材料与大靶面探测器(1)基底材料相同，均为氮化铝。
3.根据权利要求1所述的一种大靶面探测器阵列式多级半导体制冷装置，其特征在于：采用2x2阵列的多级半导体制冷器对大靶面探测器进行制冷，半导体制冷器之间采用串联、并联或者串并联的组合方式实现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
