[发明专利]一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

（a）将基片依次在丙酮、无水乙醇中各超声清洗10min，然后用高纯氮气吹干，之后迅速放入磁控溅射设备真空腔的样品台上；

（b）将La_0.5Sr_0.5CoO₃靶材置于磁控溅射设备真空腔中，在真空腔的背底真空度为0.1×10^-5~10×10^-5 Pa，靶间距为4~6cm，混合氩气和氧气动态平衡气压为0.15~100Pa，溅射功率密度为1~4W/cm²，基片温度为300~650℃条件下生长La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜底电极；

（c）将高纯AgNbO₃靶材安装在脉冲激光沉积设备中，将步骤（b）所得样品取出，并用无水乙醇冲洗，然后迅速放入脉冲激光沉积设备中，之后在背景真空度为0.1×10^-5~10×10^-5Pa，靶间距为4~6cm，氧气动态平衡气压为0.15~100Pa，溅射功率密度为1~10W/cm²，基片温度为400~800℃条件下生长AgNbO₃薄膜；

（d）将步骤（c）所得样品置于磁控溅射设备真空腔中，并加上掩模版，之后在背底真空度为0.1×10^-5~10×10^-5 Pa，靶间距为4~6cm，混合氩气和氧气动态平衡气压为0.15~100Pa，溅射功率密度为1~5W/cm²，室温条件下生长单晶的La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜上电极；

（e）安装金属靶材，重新将背底真空度抽至0.1×10^-5~10×10^-5 Pa，在靶间距为4~6cm，高纯氩气动态平衡气压为1~80Pa，溅射功率密度为1~5W/cm²，室温条件下原位生长金属膜电极；

（f）将步骤（e）所得样品在气氛退火炉中通氧气进行退火处理，退火温度为300~600℃；所得铌酸银基无铅反铁电储能薄膜中，AgNbO₃薄膜的厚度为100~800nm，La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜底电极和La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜上电极的厚度均为20~100nm，金属膜电极的厚度为10~100nm。

2.根据权利要求1所述的铌酸银基无铅反铁电储能薄膜的制备方法，其特征是，步骤（a）中，所述基片为SrTiO₃(001)或者LAO(001)。

3.根据权利要求1所述的铌酸银基无铅反铁电储能薄膜的制备方法，其特征是，步骤（e）中，所述金属膜电极为Pt膜、Au膜、Ag膜或Cu膜。