[发明专利]球形垂直微型LED及其制造方法、显示面板及其转移方法

权利要求书

1.一种球形垂直微型LED，其特征在于，包括：

第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极覆盖于所述第一半导体层的至少部分表面，所述第二电极覆盖于所述第二半导体层的至少部分表面，所述绝缘层覆盖于所述发光层外或者覆盖于所述发光层外及所述第一半导体层、所述第二半导体层的部分表面；

所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述发光层形成球体结构，所述第一电极、所述绝缘层和所述第二电极形成球面结构。

2.根据权利要求1所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述第二电极包括磁性导电材料，所述第二电极的磁性和设置于装载阱中的磁性金属垫片的磁性相反。

3.根据权利要求2所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述第二电极内的磁性导电材料形成图案化形状。

4.根据权利要求3所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述图案化形状为三角形或者矩形或者圆形或者十字形或者环形。

5.根据权利要求3所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述球形垂直微型LED包括R型LED、G型LED和B型LED，所述R型LED、所述G型LED和所述B型LED上的球体结构的直径各不相同。

6.根据权利要求1所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述第一电极的材质为透明材料，所述第二电极的材质为高反射率的导电材料。

7.根据权利要求1所述的一种球形垂直微型LED，其特征在于：所述第一半导体层的材料为n-GaN，所述第二半导体层的材料为p-GaN，所述发光层的材料为InGaN或者InN，所述第一电极的材料为ITO，所述绝缘层的材料为二氧化硅。

8.一种球形垂直微型LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上通过沉积形成外延层，所述外延层包括自上而下设置于衬底上的第二半导体层、发光层和第一半导体层；

蚀刻第二半导体层和部分发光层，得到第一芯片半球；

在第一芯片半球上沉积第一绝缘层；

蚀刻第一绝缘层，露出第二半导体层；

在第二半导体层上镀上第二电极；

将第一芯片半球翻转覆盖于bonding基板上的软质层上；

剥离衬底，露出第一半导体层；

蚀刻第一半导体层和部分发光层，得到第二芯片半球；

在第二芯片半球上沉积第二绝缘层；

蚀刻第二绝缘层，露出第一半导体层；

在第一半导体层上镀上第一电极；

剥离bonding基板和软质层，得到球形垂直微型LED。

9.一种微型LED显示面板，其特征在于，包括：

背板，所述背板上设置有多个装载阱，多个所述装载阱形成装载阱阵列；

多个球形垂直微型LED，所述球形垂直微型LED为权利要求1-7任一项所述的球形垂直微型LED，多个所述球形垂直微型LED分别设置于多个所述装载阱内，形成微型LED阵列；

透明连接电路，所述透明连接电路用于连接所述球形垂直微型LED的第一电极和背板上的第一端口，实现第一电极与外界的电连接；

磁性金属垫片，所述磁性金属垫片设置于所述装载阱内，所述磁性金属垫片用于连接所述球形垂直微型LED的第二电极和背板上的第二端口，实现第二电极与外界的电连接。

10.一种微型LED显示面板的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

将多个球形垂直微型LED放置于悬浮液中，所述球形垂直微型LED为权利要求1-7任一项所述的球形垂直微型LED；

在悬浮液中放入背板，并使得球形垂直微型LED漂浮于所述背板上方；其中，所述背板上设置有多个装载阱，多个所述装载阱形成装载阱阵列；所述装载阱内设置有磁性金属垫片，所述第二电极包括磁性导电材料，所述第二电极的磁性和设置于所述装载阱中的磁性金属垫片的磁性相反；

通过第二电极和磁性金属垫片之间的磁力将球形垂直微型LED吸附于所述装载阱内，形成微型LED阵列，完成转移。