[发明专利]OLED显示面板及其制备方法、OLED显示装置有效
申请号: | 202010209272.8 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111211156B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 龚吉祥 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
背板;
衬底,设置于所述背板上;
驱动电路层,设置于所述衬底上;
发光功能层,设置于所述驱动电路层上;
封装层,设置于所述发光功能层上;
其中,在对应电子元件设置位置的电子元件设置区内的所述背板与所述衬底的厚度之和,小于在其他区域的所述背板和所述衬底的厚度之和;所述驱动电路层包括有源层,所述电子元件设置区的有源层内的磷元素的质量分数,大于其他区域的有源层内磷元素的质量分数,所述OLED显示面板还包括粘合层,所述衬底包括第一柔性层,所述背板、粘合层与第一柔性层的开口为梯形。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括像素单元,所述电子元件设置区内的像素单元的密度,小于其他区域内的像素单元的密度。
3.如权利要求1所述OLED显示面板,其特征在于,所述电子元件设置区内的背板的厚度,小于其他区域的背板的厚度,且所述电子元件设置区内的衬底的厚度,与其他区域的衬底的厚度相等。
4.如权利要求1所述OLED显示面板,其特征在于,所述电子元件设置区内的衬底的厚度,小于其他区域的衬底的厚度,且所述电子元件设置区内的背板的厚度,与其他区域的背板的厚度相等。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述电子元件设置区内的背板的厚度,小于其他区域的背板的厚度,且所述电子元件设置区内的衬底的厚度,小于其他区域的衬底的厚度。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述衬底还包括阻挡层和第二柔性层,所述电子元件设置区的第一柔性层的厚度,小于其他区域的第一柔性层的厚度。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一柔性层与所述背板之间设有粘合层,所述电子元件设置区的粘合层的厚度,小于其他区域的粘合层的厚度。
8.一种OLED显示装置,其特征在于,包括:
OLED显示面板,所述OLED显示面板包括背板、衬底、驱动电路层、发光功能层和封装层,所述衬底设置于所述背板上,所述驱动电路层设置于所述衬底上,所述发光功能层设置于所述驱动电路层上,所述封装层设置于所述发光功能层上,其中,在对应电子元件设置位置的电子元件设置区内的所述背板与所述衬底的厚度之和,小于在其他区域的所述背板和所述衬底的厚度之和;
电子元件,所述电子元件设置于所述电子元件设置区;所述驱动电路层包括有源层,所述电子元件设置区的有源层内的磷元素的质量分数,大于其他区域的有源层内磷元素的质量分数,所述OLED显示面板还包括粘合层,所述衬底包括第一柔性层,所述背板、粘合层与第一柔性层的开口为梯形。
9.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,包括:
提供背板;
在所述背板上形成衬底,所述衬底包括第一柔性层、第二柔性层,以及设置于所述第一柔性层和第二柔性层之间的阻挡层;
在所述衬底上形成驱动电路层,并在对应电子元件设置位置的电子元件设置区内,向所述驱动电路层中的有源层的沟道区内掺杂磷元素;
在所述驱动电路层上形成发光功能层;
在所述发光功能层上形成封装层;
去除所述电子元件设置区内的背板和第一柔性层的部分,得到显示面板;所述电子元件设置区内的背板与衬底的厚度之和,小于在其他区域的背板与衬底的厚度之和;所述驱动电路层包括有源层,所述电子元件设置区的有源层内的磷元素的质量分数,大于其他区域的有源层内磷元素的质量分数,所述OLED显示面板还包括粘合层,所述衬底包括第一柔性层,所述背板、粘合层与第一柔性层的开口为梯形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010209272.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的