[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；

位于所述衬底第二区内的漂移区，所述漂移区向所述衬底的第一区与第三区内延伸；

位于所述衬底第一区上的第一漏掺杂层；

位于所述衬底第三区上的第二漏掺杂层；

位于所述第一漏掺杂层上的第一沟道柱，所述第一沟道柱内掺杂有第一离子；

位于所述第二漏掺杂层上的第二沟道柱，所述第二沟道柱内掺杂有第二离子；

位于所述第一沟道柱侧壁表面的栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一漏掺杂层、第二漏掺杂层和漂移区内分别掺杂有第二离子。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区分别与所述第一区和所述第三区相邻。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二区衬底内的衬底开口，所述衬底开口的底部表面高于所述漂移区的底部表面。

5.如权利要求2至4任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于所述第一沟道柱的顶部表面，隔离结构的顶部表面高于所述第二沟道柱的顶部表面。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子与所述第一离子类型相反，所述第一离子与所述第二离子包括N型离子或P型离子；当所述第一离子为N型离子时，所述第二离子为P型离子；当所述第一离子为P型离子时，所述第二离子为N型离子；其中，所述N型离子包括磷离子或砷离子，所述P型离子包括硼离子或铟离子。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一沟道柱顶部的第一源掺杂层、以及位于所述第二沟道柱顶部的第二源掺杂层。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构与第一沟道柱；位于所述介质层内的导电结构。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：与所述第一源掺杂层连接的第一导电插塞；与所述栅极结构连接的第二导电插塞；与所述第二源掺杂层连接的第三导电插塞。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层、位于所述栅介质层上的功函数层、以及位于所述功函数层上的栅极层。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；

在所述第二区的衬底内形成漂移区，所述漂移区向所述衬底的第一区与所述第三区内延伸；

在所述衬底第一区上形成第一漏掺杂层；

在所述衬底第三区上形成第二漏掺杂层；

在所述第一漏掺杂层上形成第一沟道柱，所述第一沟道柱内掺杂有第一离子；

在所述第二漏掺杂层上形成第二沟道柱，所述第二沟道柱内掺杂有第二离子；

在所述第一沟道柱的侧壁表面形成栅极结构。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一漏掺杂层、第二漏掺杂层和漂移区内分别掺杂有第二离子。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区衬底内形成衬底开口，所述衬底开口的底部表面高于所述漂移区的底部表面。