[发明专利]LED泄放电路和LED驱动电路有效
申请号: | 202010209813.7 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111343767B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 叶桐林 | 申请(专利权)人: | 叶桐林;上海奥简微电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B45/35 | 分类号: | H05B45/35;H05B45/10 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 电路 驱动 | ||
1.一种LED泄放电路,其特征在于,包括:齐纳二极管和串联元件;
所述齐纳二极管的负极与所述串联元件的一端串联;
所述串联元件的另一端连接在LED的负极与升压驱动芯片之间;
所述齐纳二极管的正极连接信号地;
所述串联元件包括:二极管或电阻;
所述升压驱动芯片包括:NMOS管Q1、NMOS管Q2、升压驱动电路、假负载电路和去纹波电路;
所述齐纳二极管的电压低于所述假负载电路的检测电压;
所述升压驱动电路连接NMOS管Q1的栅极,所述NMOS管Q1的源极接信号地,所述NMOS管Q2的源极接信号地,所述NMOS管Q2的漏极连接LED的负极和所述串联元件的另一端;
还包括:电感L1、二极管D1,电容C1、电阻R1和LED;
电源的正极经过整流电路连接所述电感L1的一端,所述电感L1的另一端分别连接所述NMOS管Q1的漏极和所述二极管D1的一端,所述二极管的另一端分别连接所述电容C1的一端、所述电阻R1的一端和所述LED的正极;
所述电容C1的另一端连接信号地,所述电阻R1的另一端连接所述升压驱动芯片的假负载电路。
2.一种LED驱动电路,其特征在于,包括权利要求1所述的LED泄放电路。
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