[发明专利]光电转换元件及其制造方法在审
申请号: | 202010209856.5 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111755606A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 杉村博;宫西晋太郎;仓内敬广 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,包括:
电子输送层;
空穴输送层;
设置在所述电子输送层和所述空穴输送层之间的光吸收层,
所述光吸收层含有具有针状晶体结构的钙钛矿化合物和粘结树脂。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述钙钛矿化合物的长轴长为5μm以上且50μm以下,所述钙钛矿化合物的长轴长度相对于短轴长度之比为5以上且30以下。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,其特征在于,
所述粘结树脂为聚乙烯醇缩丁醛树脂或纤维素树脂。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光电转换元件,其特征在于,
所述空穴输送层含有碳纳米管。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光电转换元件,其特征在于,
所述电子输送层含有氧化钛。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光电转换元件,其特征在于,
所述钙钛矿化合物用化学式ABX3表示,其中A为有机分子,B为金属原子,X为卤素原子。
7.一种光电转换元件的制造方法,其特征在于,包括:
第一电荷输送层形成工序,其形成含有第一电荷输送材料的第一电荷输送层;
光吸收层形成工序,在所述第一电荷输送层上形成光吸收层;
第二电荷输送层形成工序,通过在所述光吸收层上涂布含有第二电荷输送材料的第二电荷输送层涂布液而形成第二电荷输送层,
所述第一电荷输送材料和所述第二电荷输送材料中的一个是电子输送材料,另一个是空穴输送材料,
所述光吸收层含有具有针状晶体结构的钙钛矿化合物和粘结树脂。
8.根据权利要求7所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,所述光吸收层形成工序包括:
多孔钙钛矿化合物层形成工序,在所述第一电荷输送层上形成多孔层,所述多孔层含有具有针状晶体结构的钙钛矿化合物;
粘结树脂溶液涂布工序,在所述多孔层上涂布含有粘结树脂和溶剂的粘结树脂溶液。
9.根据权利要求8所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,
所述溶剂为甲苯或氯苯。
10.根据权利要求8或9所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,
所述粘结树脂溶液涂布工序通过浸凃法、辊涂法或旋涂法涂布所述粘结树脂溶液。
11.根据权利要求7至10中的任一项所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,
所述第一电荷输送材料是电子输送材料,所述第二电荷输送材料是空穴输送材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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