[发明专利]一种基于表面等离激元多频带完美吸收器

权利要求书

1.一种基于表面等离激元多频带完美吸收器，包括基底、介质层和结构层，其特征在于：基底上方设有介质层，介质层上方设有结构层，结构层由工字型单元周期性阵列组成，工字型单元在x方向和y方向上周期性分布，每个工字型单元由3个横截面均为椭圆的柱体组成，分别为第一柱体、第二柱体和第三柱体，其中位于两端的第一柱体和第三柱体的椭圆横截面的长轴和位于中间的第二柱体的椭圆横截面的短轴相互平行，第二柱体的椭圆横截面短轴和长轴分别与直角坐标系的x轴和y轴平行，柱体内设有用于控制光的偏振方向的偏振器。

2.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：结构层的材料为金。

3.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：介质层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：基底的材料为金。

5.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：柱体椭圆横截面长轴长度范围为80nm至160nm，长轴步长为20nm，短轴长度范围为50nm至120nm，短轴步长为14nm，柱体厚度范围为70nm至130nm，柱体厚度步长为15nm。

6.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：工字型单元在x方向上的分布周期为540nm，在y方向上的分布周期为540nm。

7.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：各工字型单元在x方向和y方向都是紧密排布。

8.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：基底的厚度不小于50nm。

9.根据权利要求1所述的基于表面等离激元多频带完美吸收器，其特征在于：介质层的厚度不小于30nm。