[发明专利]功率器件的失效分析方法在审
申请号: | 202010210630.7 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111370347A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 芮志贤 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 黎伟 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 器件 失效 分析 方法 | ||
1.一种功率器件的失效分析方法,其特征在于,包括:
去除集成有功率器件的晶圆的正面的第一金属层;
通过失效点定位机台对所述正面失效区域进行定位后,对所述正面失效区域进行标记,得到正面失效标记;
通过所述失效点定位机台在所述背面查找到所述正面失效标记,对背面失效区域进行定位,所述背面失效区域是所述正面失效区域在所述背面的对应区域;
通过所述失效点定位机台对所述背面失效区域进行标记,得到背面失效标记;
根据所述背面失效标记对所述背面失效区域进行失效分析。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述正面失效区域进行标记之后,所述通过所述失效点定位机台在所述背面查找到所述正面失效标记之前,还包括:
在所述晶圆的背面镀第二金属层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过所述失效点定位机台在所述背面查找到所述正面失效标记,对背面失效区域进行定位,包括:
将所述失效点定位机台的对焦距离调节至所述正面对应的对焦距离区间;
通过所述失效点定位机台的激光穿透所述晶圆的硅材料的性能,和所述失效点定位机台的OBIRCH模式的抓图功能在所述背面查找到所述正面失效标记,确定所述背面失效区域所在位置;
将所述对焦距离调节至所述背面对应的对焦距离区间。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将所述对焦距离调节至所述背面对应的对焦距离区间之后,还包括:
将所述背面失效区域移动至所述失效点定位机台的显示图像上的预定位置。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述预定位置为所述显示图像的中心。
6.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述对所述正面失效区域进行标记,包括:
通过所述失效点定位机台对所述正面失效区域使用激光进行标记。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述通过所述失效点定位机台对所述正面失效区域使用激光进行标记之后,还包括:
通过所述失效点定位机台对所述正面失效区域使用聚焦离子束对所述正面失效区域进行标记。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述通过所述失效点定位机台对所述背面失效区域进行标记,包括:
通过所述失效点定位机台对所述背面失效区域使用激光进行标记。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述通过所述失效点定位机台对所述背面失效区域使用激光进行标记之后,还包括:
通过所述失效点定位机台对所述背面失效区域使用聚焦离子束对所述背面失效区域进行标记。
10.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述在所述晶圆的背面镀第二金属层之前,还包括:
通过溶剂对所述背面进行清洗。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述溶剂包括丙酮和/或乙醇。
12.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述第一金属层包括铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造