[发明专利]具有硅上腔桥的分解的管芯互连

权利要求书

1.一种管芯组件，包括：

第一管芯；

第二管芯，所述第二管芯与所述第一管芯在横向上相邻，其中，所述第一管芯和所述第二管芯均包括：

第一半导体层；

绝缘体层，所述绝缘体层在所述第一半导体层上方；

第二半导体层，所述第二半导体层在所述绝缘体层上方；

腔，所述腔穿过所述第二半导体层设置；以及

桥接衬底，所述桥接衬底将所述第一管芯电耦合到所述第二管芯，其中，所述桥位于所述第一管芯的腔和所述第二管芯的腔中。

2.根据权利要求1所述的管芯组件，其中，所述第一管芯的腔沿着所述第一管芯的第一边缘，并且其中，所述第二管芯的腔沿着所述第二管芯的第一边缘。

3.根据权利要求2所述的管芯组件，其中，所述第一管芯的第一边缘面向所述第二管芯的第一边缘。

4.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯还包括：

在所述第一半导体层中的有源区。

5.根据权利要求4所述的管芯组件，其中，所述有源区通过穿过所述第一半导体层和所述绝缘体层的穿衬底过孔(TSV)电耦合到所述桥。

6.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括相同的半导体材料。

7.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述第一半导体层包括硅或III-V族半导体系统。

8.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述第一半导体层的厚度小于所述第二半导体层的厚度。

9.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述桥接衬底是无源部件。

10.根据权利要求1、2或3所述的管芯组件，其中，所述桥接衬底是有源部件。

11.一种电子封装，包括：

封装衬底；

管芯组件，所述管芯组件耦合到所述封装衬底，其中，所述管芯组件包括：

第一管芯；

第二管芯，所述第二管芯与所述第一管芯相邻；

腔，所述腔进入到所述第一管芯和所述第二管芯中；以及

桥接衬底，所述桥接衬底在所述腔中，其中，所述桥接衬底将所述第一管芯电耦合到所述第二管芯。

12.根据权利要求11所述的电子封装，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个均包括有源表面，其中，所述有源表面面向所述封装衬底。

13.根据权利要求12所述的电子封装，其中，所述有源表面通过在所述腔的底表面处终止的穿衬底过孔(TSV)电耦合到所述桥接衬底。

14.根据权利要求13所述的电子封装，其中，所述腔的底表面包括绝缘体。

15.根据权利要求11、12、13或14所述的电子封装，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个均包括：

第一半导体层；

绝缘体，所述绝缘体在所述第一半导体层上方；以及

第二半导体层，其中，所述腔穿过所述第二半导体层。

16.根据权利要求15所述的电子封装，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括相同的半导体材料。

17.根据权利要求15所述的电子封装，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括不同的半导体材料。

18.根据权利要求11、12、13或14所述的电子封装，其中，填充材料包封所述桥接衬底并填充所述腔。