[发明专利]一种二阶噪声整形逐次逼近模数转换器有效
申请号: | 202010210742.2 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111262586B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 于奇;黄文杰;张启辉;李靖;宁宁 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/46 | 分类号: | H03M1/46;H03M1/12;H03M1/08 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪声 整形 逐次 逼近 转换器 | ||
1.一种二阶噪声整形逐次逼近模数转换器,包括单端电容DAC模块、比较模块和逐次逼近逻辑模块,
所述单端电容DAC模块包括第一电容阵列、第一控制开关阵列和第一复位开关,第一控制开关阵列中每个开关的一端连接输入信号、参考正电压或参考负电压,另一端分别通过第一电容阵列中对应的电容后连接所述单端电容DAC模块的输出端;第一复位开关接在所述单端电容DAC模块的输出端和参考地之间;
所述逐次逼近逻辑模块的输入端连接所述比较模块的输出端,其控制信号输出端输出用于控制所述第一控制开关阵列中每个开关的控制信号,其数据输出端输出所述逐次逼近模数转换器的输出信号;
其特征在于,所述逐次逼近模数转换器还包括第一积分器模块、前置放大器模块和第二积分器模块,
所述第一积分器模块包括第一积分开关、第一积分电容、第三复位开关和第四复位开关,
第一积分开关的一端作为所述第一积分器模块的输入端,另一端连接第四复位开关的一端并通过第一积分电容后连接参考地;
第三复位开关的一端连接第四复位开关的另一端并作为所述第一积分器模块的输出端,另一端连接参考地;
所述前置放大器模块的第一正向输入端连接所述单端电容DAC模块的输出端和所述第一积分器模块的输入端,其第二正向输入端连接所述第一积分器模块的输出端,其第一负向输入端和第二负向输入端连接参考地,其输出端连接第二积分器模块的输入端;
所述第二积分器模块包括第一采样电容、第二积分电容、第二复位开关和第二积分开关,
第一采样电容的一端作为所述第二积分器模块的输入端,另一端连接第二复位开关的一端和第二积分开关的一端并作为所述第二积分器模块的第一输出端;
第二复位开关的另一端连接参考地;
第二积分电容的一端连接第二积分开关的另一端并作为所述第二积分器模块的第二输出端,另一端连接参考地;
所述比较模块的第一正向输入端连接所述第二积分器模块的第一输出端,其第二负向输入端连接所述第二积分器模块的第二输出端,其第二正向输入端和第一负向输入端连接参考地。
2.根据权利要求1所述的二阶噪声整形逐次逼近模数转换器,其特征在于,所述前置放大器模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,其中第二NMOS管和第三NMOS管的尺寸相等,第四NMOS管和第五NMOS管的尺寸相等,第四NMOS管和第二NMOS管的尺寸比等于所述第一积分电容的电容值和所述单端电容DAC模块中第一电容阵列的总电容值的比例;
第二NMOS管的栅极作为所述前置放大器模块的第一正向输入端,其漏极连接第四NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极、第二PMOS管的漏极以及第三PMOS管的栅极并作为所述前置放大器模块的输出端,其源极连接第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的源极以及第一NMOS管的漏极;
第一NMOS管的栅极连接偏置电压,其源极连接电源地;
第三NMOS管的栅极作为所述前置放大器模块的第一负向输入端,其漏极连接第五NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极以及第四PMOS管的栅极和漏极;
第四NMOS管的栅极作为所述前置放大器模块的第二正向输入端,第五NMOS管的栅极作为所述前置放大器模块的第二负向输入端;
第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极连接电源电压。
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