[发明专利]具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置

权利要求书

1.一种晶体管布置，包括负载晶体管（Q1）和感测晶体管（Q2），

其中负载晶体管（Q1）和感测晶体管（Q2）中的每个包括相应的漂移与漏极区（10）的部分，相应的漂移与漏极区（10）的部分被布置在半导体本体（100）中并且被连接到漏极节点（D）；

其中负载晶体管（Q1）进一步包括：

至少一个负载晶体管单元（20₁），其包括集成在半导体本体（100）的第一有源区（110）中的源极区（21₁）；以及

至少一个感测晶体管单元（20₂），其包括集成在半导体本体（100）的第二有源区（120）中的源极区（21₂），并且

其中感测晶体管（Q2）进一步包括：

第一源极节点（S1），其电耦合到所述至少一个负载晶体管单元（20₁）的源极区（21₁）；

第二源极节点（S2），其电耦合到所述至少一个感测晶体管单元（20₂）的源极区（21₂）；和

补偿电阻器（40），其被连接在所述至少一个感测晶体管单元（20₂）的源极区（21₂）和第二源极节点（S2）之间，

其中，补偿电阻器（40）被集成在半导体本体（100）中并且包括电阻导体（41），以及

其中，电阻导体（41）包括掺杂的半导体材料。

2.根据权利要求1所述的晶体管布置，

其中在导通状态下，负载晶体管（Q1）包括产生自负载晶体管（Q1）的如下的部分的第一内部电阻（R_INT1）：该部分位于在漏极节点（D）与所述至少一个负载晶体管单元（20₁）的源极区（21₁）之间的半导体本体（100）的内部并且包括所述至少一个负载晶管单元（20₁）的源极区（21₁），

其中负载晶体管（Q1）包括产生自负载晶体管（Q1）的在所述至少一个负载晶体管单元（20₁）的源极区（21₁）与第一源极节点（S1）之间的部分的第一外部电阻（R_EXT1），

其中在导通状态下，感测晶体管（Q2）包括产生自感测晶体管（Q2）的如下的部分的第二内部电阻（R_INT2）：该部分位于在漏极节点（D）与所述至少一个感测晶体管单元（20₂）的源极区（21₂）之间的半导体本体（100）的内部并且包括所述至少一个感测晶管单元（20₂）的源极区（21₂），

其中感测晶体管（Q2）包括产生自感测晶体管（Q2）的在所述至少一个负载晶体管单元（20₁）的源极区（21₁）与第二源极节点（S2）之间的部分的第二外部电阻（R_EXT2），以及

其中第二外部电阻（R_EXT2）和第一外部电阻（R_EXT1）之间的第一比率不同于第二内部电阻（R_INT2）和第一内部电阻（R_INT1）之间的第二比率。

3. 根据权利要求2所述的晶体管布置，其中第一比率和第二比率中的较大的一个在第一比率和第二比率中的较小的一个的105%和 250%之间。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的晶体管布置，其中，掺杂的半导体材料包括掺杂多晶硅。

5.根据权利要求4所述的晶体管布置，其中，掺杂浓度选择自5E18cm^-和5E20cm^-3之间。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的晶体管布置，

其中，电阻导体（41）具有带有温度系数的补偿电阻，以及

其中，补偿电阻的温度系数具有小于在漏极节点（D）与第一源极节点（S1）之间的负载晶体管导通电阻的温度系数的量值的量值。