[发明专利]电熔丝结构及其形成方法

说明书

一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构包括一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：熔丝链，包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；分别与所述电极区连接的多个分立的插塞，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。上述的方案，可以提升电熔丝结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种电熔丝结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体工艺水平的改进以及集成电路复杂度的提高，熔丝元件被广泛应用于各种集成电路中。其中，通过传输电流或熔断而断开的熔丝被称为电熔丝(e-fuse)。

通过选择性地熔断具有多种潜在用途的集成电路中的熔丝，以实现特定的用途。例如，熔丝结构用于连接集成电路中的冗余电路(redundancy circuit)，在电路出现缺陷时，将熔丝结构中的熔丝链熔断，以使用冗余电路来修复或取代出现缺陷的电路。熔丝结构亦经常用于内存中，可以在内存芯片生产完成时，通过熔丝结构用冗余的存储单元来取代出现功能问题部分存储单元，以实现修复的目的。另外，熔丝结构还常见于可编程电路中，用以对电路中的标准逻辑单元进行编程，实现特定的功能。

但是，现有的电熔丝结构的性能仍然有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种电熔丝结构及其形成方法，以提升电熔丝结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供了一种电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：

熔丝链，包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；

分别与所述电极区连接的多个分立的插塞，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。

可选地，所述熔断区的宽度等于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸；所述插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述熔断区的宽度。

可选地，所述插塞的横截面的形状为矩形。

可选地，所述多个插塞沿着所述熔丝链的延伸方向成直线排列。

可选地，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸相等。

可选地，各插塞在在熔断区的宽度方向上的尺寸各不相等；或者，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸至少部分不相同。

可选地，对于位于熔断区任一侧的多个插塞中任意相邻的两个插塞，在熔断区的宽度方向上，远离熔断区的插塞的尺寸小于或等于靠近熔断区的插塞的尺寸。

可选地，所述电熔丝结构还包括：基底；位于基底上的介质层；所述熔丝链和插塞位于介质层中。

可选地，所述熔断区两侧的电极区分别为阳极区和阴极区，与阳极区连接的插塞位于阳极区上，与阴极区连接的插塞位于阴极区下方，所述阳极区上的插塞用于与上层金属层连接，所述阴极区下方的插塞用于与工作器件连接。

本发明实施例还提供了一种电熔丝结构的形成方法，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成熔丝链和多个分立的插塞，所述熔丝链包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区，所述插塞分别与所述电极区连接，各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。

可选地，所述熔断区的宽度等于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸；所述插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述熔断区的宽度。

可选地，所述熔断区两侧的电极区分别为阳极区和阴极区，所述插塞分为位于阳极区上与阳极区连接的第一插塞和位于阴极区下方与阴极区连接的第二插塞，所述第一插塞用于与上层金属层连接，所述第二插塞用于与工作器件连接；