[发明专利]封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010212009.4 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN113130464B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张简上煜;林南君;徐宏欣 申请(专利权)人: 力成科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/18;H01L23/535;H01L23/31;H01L21/98
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;刘芳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括桥接芯片、硅穿孔芯片、第一模封体、第一有源芯片、第二有源芯片、第二模封体以及重布线路结构。第一模封体覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片。第一有源芯片电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片。第二有源芯片电连接于桥接芯片。第二模封体覆盖第一有源芯片及第二有源芯片。重布线路结构电连接于硅穿孔芯片。硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法,尤其涉及一种具有多个有源芯片的封装结构及其制造方法。

背景技术

近年来,电子设备对于人类的生活越来越重要。为了加速各种功能的集成,可以将多个有源芯片集成在一个封装结构。因此,如何使具有多个有源芯片的封装结构的制造良率或质量可以提升,或可以使多个有源芯片的封装结构的制造成本可以降低,已成为迫在眉睫的问题。

发明内容

本发明提供一种封装结构,其具有更好的质量。

本发明提供一种封装结构的制造方法,其具有更好的良率或较低的成本。

本发明的封装结构包括桥接芯片、硅穿孔芯片、第一模封体、第一有源芯片、第二有源芯片、第二模封体以及重布线路结构。第一模封体覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片。第一有源芯片电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片。第二有源芯片电连接于桥接芯片。第二模封体覆盖第一有源芯片及第二有源芯片。重布线路结构电连接于硅穿孔芯片。硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。

本发明的封装结构的制造方法包括以下步骤。提供硅穿孔芯片及桥接芯片。形成覆盖硅穿孔芯片及桥接芯片的第一模封体。形成电连接于硅穿孔芯片的重布线路结构。配置电连接于桥接芯片及硅穿孔芯片的第一有源芯片。配置电连接于桥接芯片的第二有源芯片。形成覆盖第一有源芯片及第二有源芯片的第二模封体。在形成重布线路结构的步骤及配置第一有源芯片的步骤之后,硅穿孔芯片位在第一有源芯片及重布线路结构之间。

基于上述,本发明的封装结构可以集成(integrated)多个有源芯片。多个有源芯片之间可以通过桥接芯片彼此电连接,且有源芯片可以通过硅穿孔芯片与重布线路结构电连接。如此一来,可以提升封装结构的质量。并且,在封装结构的制造方法上,可以先将桥接芯片与硅穿孔芯片以第一模封体,再配置电连接至桥接芯片或硅穿孔芯片的有源芯片。如此一来,封装结构的制造良率可以提升,或可以使封装结构的制造成本降低。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1H为依照本发明的第一实施例的一种封装结构的部分制造方法的部分剖视示意图;

图1I为依照本发明的第一实施例的一种封装结构的部分剖视示意图;

图1J为依照本发明的第一实施例的一种封装结构的部分下视示意图;

图1K至图1L为依照本发明的第一实施例的一种封装结构的部分剖视放大示意图;

图2A为依照本发明的第二实施例的一种封装结构的部分剖视示意图;

图2B为依照本发明的第二实施例的一种封装结构的部分下视示意图;

图3为依照本发明的第三实施例的一种封装结构的部分剖视示意图;

图4为依照本发明的第四实施例的一种封装结构的部分剖视示意图。

附图标号说明

100、200、300、400:封装结构;

110:桥接芯片;

111:桥接连接面;

112:桥接背面;

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