[发明专利]一种FDSOI器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010212526.1 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403288B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;田明;宋洋;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fdsoi 器件 形成 方法 | ||
1.一种FDSOI器件的形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供SOI晶圆，所述SOI晶圆包括HV区域，该HV区域包括硅基底、位于所述硅基底上的埋氧层；位于所述埋氧层上的单晶硅层；
步骤二、去除所述HV区域上的所述单晶硅层；
步骤三、在所述硅基底中进行离子注入形成阱；
步骤四、在所述HV区域上定义栅氧化层的宽度，同时定义源、漏区；
步骤五、去除所述源、漏区表面的所述埋氧层，留下的所述埋氧层作为所述栅氧化层；并在所述源、漏区表面外延生长硅至所述栅氧化层的高度；
步骤六、在栅氧化层下方的所述阱中形成STI区域；
步骤七、在所述源、漏区掺杂形成漂移区；
步骤八、在所述栅氧化层上形成栅极结构。
2.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤二中去除所述HV区域上的所述单晶硅层的方法为湿法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤二中去除所述HV区域上的所述单晶硅层的方法为干法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤三中在所述硅基底中进行离子注入形成P阱。
5.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤三中在所述硅基底中进行离子注入形成N阱。
6.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤四中采用光刻在所述HV区域上定义栅氧化层的宽度。
7.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤五中采用刻蚀的方法去除所述源、漏区表面的所述埋氧层。
8.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤六中通过光刻定义所述STI区域，之后采用刻蚀的方法形成STI沟槽，接着在所述STI沟槽中填充隔离层形成所述STI区域。
9.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤八在所述栅氧化层上形成栅极结构的方法包括：在所述栅氧化层上沉积栅极结构层，接着沉积牺牲层，之后依次采用光刻和刻蚀形成所述栅极结构。
10.根据权利要求1所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：该方法还包括步骤九、在所述栅极结构的两侧形成侧墙。
11.根据权利要求8所述的FDSOI器件的形成方法，其特征在于：步骤六中形成的所述STI区域的深度为2000埃～4000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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