[发明专利]一种低温制备碳化硅外延用衬底的方法在审
| 申请号： | 202010212964.8 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403263A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;潘庆波 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 朱玲艳 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市城阳*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 碳化硅 外延 衬底 方法 | ||
1.一种低温制备超薄碳化硅外延用衬底的方法，包括如下步骤：
S1、在基底表面涂履碳化硅层，得到第一结构体；
S2、将所述第一结构体加热至800～1000℃，得到第二结构体；
S3、将所述第二结构体中加热后的碳化硅层的表面同时进行刻蚀和光照催化，得到第三结构体；所述刻蚀的气体为氯化氢、H2、SF6和O2；
S4、将所述第三结构体中刻蚀和光照催化后的碳化硅层的表面进行激光脉冲冲击，得到第四结构体；
S5、将所述第四结构体进行后处理，得到碳化硅外延用衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中的基底为单晶结构体。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中的基底的厚度至少为150μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中在涂覆碳化硅层前还包括对基底表面进行抛光处理。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述抛光处理后基底表面的粗糙度数值小于Ra0.05。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中加热的时间不超过5min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中SF6与O2的流量比小于0.020％。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中激光脉冲的照射频率为8～10Hz，脉冲次数为1300～1800。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S5中的后处理为采用酸溶液对第四结构体进行浸泡处理。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述浸泡处理的时间为5～10min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
