[发明专利]一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，包括S1：选用P型硅片为基底材料，进行制绒工序；S2：对硅片进行扩散工序，形成扩散层；S3：对硅片进行刻蚀工序；S4：对硅片进行退火工序；其特征在于：

S5：在硅片的正面印刷掩膜材料并固化，掩膜材料呈栅线状分布；

S6：对硅片的正面进行SiNx沉积工序，制备氮化硅减反膜；

S7：去处掩膜材料，使原本被掩膜材料覆盖的硅片正极露出；

S8：对硅片的背面进行Al₂O₃/SiNx沉积工序，制备Al₂O₃/SiNx钝化膜；

S9：对硅片背面的Al₂O₃/SiNx钝化膜进行激光开孔；

S10：在激光开孔位置进行背电极、背电场印刷烧结；

S11：在硅片的正面进行TCO沉积工序，TCO材料可与S7中露出的硅片正极接触；

S12：在TCO沉积层上印刷银主栅并低温烧结，银主栅与S5中的栅线分布方向垂直。

2.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S5中，通过丝网印刷设备在硅片正面印刷掩膜材料并固化，固化温度控制在200-500℃。

3.根据权利要求1或2所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S6中，减反膜的厚度控制在65-85nm，折射率控制在2-2.5。

4.根据权利要求3所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S8中，钝化膜的厚度控制在80-150nm。

5.根据权利要求4所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S9中，使用激光对背面钝化膜进行开孔，开孔率控制在3%-10%。

6.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S10中，通过丝网印刷工艺，使用背银浆料、铝浆料在硅片背面形成银背电极和铝背电场，烧结烘干温度300-800℃。

7.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S11中，使用PVD或RPD设备沉积透明导电氧化物材料ITO，ITO的厚度控制在5-120nm。

8.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:S12中，使用丝网印刷工艺，将银浆印刷在TCO上，并低温烧结，烧结温度控制在200-350℃。

9.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于:在S1中，选用P型硅片为基底材料，使用湿法刻蚀技术，在硅片表面形成绒面，减重控制在0.4g-0.8g，反射率控制在9%-15%。