[发明专利]一种高电压单晶低钴三元正极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高电压单晶低钴三元正极材料，其特征在于，包括基体和包覆在基体表面的包覆层，所述基体为低钴三元正极材料LiNi_xCo_yMn_1-x-yO₂，其中，0.6x0.8，0.05≤y≤0.10；所述包覆层为MBO玻璃材料，其中M为Li、Ti或Al。

2.根据权利要求1所述的高电压单晶低钴三元正极材料，其特征在于，所述MBO玻璃材料的包覆量为低钴三元正极材料LiNi_xCo_yMn_1-x-yO₂的质量的0.2％-0.5％。

3.权利要求1或2所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将含M包覆物和含B包覆物加入无水乙醇中并搅拌至完全分散；

2)将低钴三元正极材料LiNi_xCo_yMn_1-x-yO₂加入步骤1)得到的溶液中，继续搅拌，升温至60-70℃使乙醇完全挥发，得到包覆好的物料；

3)将步骤2)包覆好的物料进行低温富氧烧结，以3-7℃/min的速率升温至350-600℃，保温8-12h后冷却至室温，得到表面包覆有MBO玻璃材料的高电压单晶低钴三元正极材料。

4.根据权利要求3所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，含M包覆物和含B包覆物的摩尔比为1:1-1:5。

5.根据权利要求4所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，含M包覆物和含B包覆物的摩尔比为1:2。

6.根据权利要求3所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述含M包覆物为纳米LiOH·H₂O、纳米Li₂O、纳米Ti(OH)₄、纳米TiO₂、纳米Al(OH)₃或纳米Al₂O₃。

7.根据权利要求3所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述的含B包覆物为纳米B₂O₃或纳米H₃BO₃。

8.根据权利要求3所述的高电压单晶低钴三元正极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，低温富氧烧结采用辊道炉或推板炉，其氧气流量为0.5-1.0m³/h。