[发明专利]非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极蚀膜垫层、阳极续合直银层和薄发光层，所述的阳极蚀膜垫层和阳极续合直银层相连，所述的薄发光层制作在阳极蚀膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构。具有发光背光源的发光均匀性能良好、发光背光源的发光亮度高的优点。

技术领域

本发明属于纳米科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、半导体科学与技术领域、真空科学与技术领域、微电子科学与技术领域、平面显示技术领域以及光电子科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到碳纳米管阴极的发光背光源的制作，特别涉及到一种非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有优异的电子发射特性，可以用来充当发光背光源的电子源，为发光背光源元器件提供很好的阴极电流。碳纳米管的极高机械强度和良好的耐热性，能够确保碳纳米管在发光背光源运转过程中发挥正常电子发射功能，而不至于出现被烧毁现象。随着对碳纳米管阴极的印刷制备、调制、处理等工艺的研究向前推进，间接也推动了发光背光源元器件的研究进展。但是，在三极结构的碳纳米管阴极发光背光源中，还存在着一些技术难题有待解决。第一，门极电压对碳纳米管阴极的控制能力太弱。门极电压是需要外部施加的，若是较小的门极电压，则碳纳米管阴极根本就不受影响；若是较大的门极电压，则还会引起门极-阴极之间电场击穿情况的出现。门极的本质作用是用于对碳纳米管阴极的电子发射进行调控的，而碳纳米管阴极进行电子发射不受门极电压的严格限制，就是门极电压失去本质作用的表现。第二，碳纳米管阴极的电子发射效率比较低下。在碳纳米管阴极中，仅有少部分碳纳米管能够正常进行电子发射，这还是不足以用于形成发光背光源的大阴极电流的，而大部分碳纳米管没有电子发射，形成了事实上的失效阴极，也浪费并占用了宝贵的碳纳米管制作面积。上述技术难题的存在，还需要进行认真探求并给出解决办法。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种发光背光源的发光均匀性能良好的、发光背光源的发光亮度高的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极蚀膜垫层、阳极续合直银层和薄发光层，所述的阳极蚀膜垫层和阳极续合直银层相连，所述的薄发光层制作在阳极蚀膜垫层上面；在后硬透玻璃板上有非联同洼错双面阴极倒角单尖门控结构。