[发明专利]一种正面无副栅的单晶PERC电池制备方法在审

申请号：	202010214285.4	申请日：	2020-03-24
公开（公告）号：	CN111341885A	公开（公告）日：	2020-06-26
发明（设计）人：	陈小兰;张小明;邵家骏;林纲正;陈刚	申请（专利权）人：	浙江爱旭太阳能科技有限公司
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18;H01L31/0224
代理公司：	金华智芽专利代理事务所(普通合伙) 33307	代理人：	陈迪
地址：	322000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种正面无副栅 perc 电池制备方法
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【权利要求书】：

1.一种正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于，所述包括如下步骤：S1：对硅片进行制绒工序；S2：对硅片进行扩散工序，形成扩散层；S3：对硅片进行刻蚀工序；S4：对硅片进行退火；S5：在硅片的背面沉积SiNx/AlOx钝化膜；S6：在硅片的正面沉积SiNx减反膜；S7：利用激光对硅片背面进行开槽；其特征在于：

S8：在硅片的背面印刷背电极和背电场；

S9：对硅片进行烘干烧结；

S10：利用激光对硅片正面的SiNx开槽，开槽的图案与副栅的分布图案相同；

S11：对硅片的正面使用PVD法沉积ITO薄膜，使ITO薄膜覆盖硅片的正面，同时充满S10中的开槽；

S12：使用正银浆料在硅片正面印刷电池的正电极，正电极的分布方向与开槽方向垂直；

S13：将硅片进行低温固化工序。

2.根据权利要求1所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S10：利用纳秒激光(532nm)对硅片正面SiNx薄膜开槽，激光功率在25-35W，频率200-250kHZ。

3.根据权利要求1或2所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S11：沉积的ITO薄膜的厚度范围控制在40-120nm。

4.根据权利要求3所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S13中，温度控制在200-350℃范围内。

5.根据权利要求4所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S9中，烧结炉温度控制在300-980℃。

6.根据权利要求5所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S7中，开孔率为3％-10％。

7.根据权利要求6所述的正面无副栅的单晶PERC电池制备方法，其特征在于：S6中，在硅片正面沉积厚度为65-90nm的SiNx减反膜，折射率为1.8-2.5。