[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202010214328.9 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111384141A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 李增荣;邹振游;曾勇;郭航乐;陈周煜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请提供了一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置,该OLED显示面板包括:层叠的透明基底层和显示基材,显示基材包括层叠的开关器件层、有机电致发光器件层和封装层,显示基材内开设有过孔,显示基材远离透明基底层的一侧和过孔内均布置有遮光层;遮光层在过孔底部的区域开设有第一透光区域,第一透光区域用于与摄像头的设计尺寸相匹配;遮光层中位于显示基材远离透明基底层一侧的区域包括多个第二透光区域,多个第二透光区域分别与有机电致发光器件层的多个有效发光区域匹配。在不影响有机电致发光层的光线垂直射出的基础上,遮光层能有效阻止光线从侧面射出,同时可有效防止像素区发光对摄像头采集光线的干扰,从而提高成像质量。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种OLED显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管)显示面板具有自发光、广视角、高对比度、低功耗、反应速度快等优点,受到市场的热捧。但是OLED显示面板具有广视角的同时,也带来一些弊端,比如:用户在使用具有OLED显示面板的智能终端设备时,靠近用户的其他人能够看到显示屏上显示的内容,容易造成隐私泄露。
而且,随着全面屏显示面板的应用,这就要求非常成熟的屏下摄像头技术,但是,位于全面屏显示面板下方的摄像头在启动拍摄时,像素区的发光容易影响到摄像头入射光的采集,从而影响成像质量。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种OLED显示面板及其制作方法、显示装置,以解决现有OLED显示面板可视角度大带来的隐私泄露问题,以及摄像头采光易受像素区的发光影响成像质量的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种OLED显示面板,包括:层叠的透明基底层和显示基材,所述显示基材包括层叠的开关器件层、有机电致发光器件层和封装层;所述显示基材内设有过孔;所述显示基材远离所述透明基底层的一侧和所述过孔内均布置有遮光层;所述遮光层在所述过孔底部的区域开设有第一透光区域,所述第一透光区域用于与摄像头的设计尺寸相匹配;所述遮光层中位于所述显示基材远离所述透明基底层一侧的区域包括多个第二透光区域,多个所述第二透光区域分别与所述有机电致发光器件层的多个有效发光区域匹配。
在一些可能的实现方式中,所述过孔靠近所述透明基材层的一端为所述过孔的第一端,所述过孔远离所述基材层的一端为所述过孔的第二端;所述过孔的第一端的面积小于所述过孔的第二端的面积。
在一些可能的实现方式中,所述过孔沿平行于所述透明基底层的截面形状为圆形。
在一些可能的实现方式中,所述过孔的第一端的直径为4毫米~6毫米,所述过孔的第二端为直径为6毫米~8毫米。
在一些可能的实现方式中,位于所述显示基材远离所述透明基底层的一侧的遮光层的厚度与位于所述过孔内的遮光层的厚度相同。
在一些可能的实现方式中,所述遮光层的厚度为80纳米~150纳米。
在一些可能的实现方式中,所述遮光层的材料为氧化钼或者含有炭黑的光刻胶。
第二个方面,本申请实施例提供了一种OLED显示面板的制备方法,用于制备第一个方面的OLED显示面板,包括:
在透明基底层上制备显示基材,所述显示基材包括层叠的开关器件层、有机电致发光器件层和封装层;
根据摄像头的设计位置和扩大化的尺寸,对所述显示基材进行图形化,得到过孔;所述过孔处暴露出所述透明基底层;
在所述过孔内、以及剩余的所述显示基材远离所述透明基底层的一侧,制备遮光层;所述遮光层位于所述过孔底部的区域设有第一透光区域,所述遮光层对应于所述有机电致发光器件层的多个有效发光区域的区域分别设有多个第二透光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的