[发明专利]透光性导电薄膜和调光薄膜有效

专利信息
申请号: 202010214957.1 申请日: 2016-11-08
公开(公告)号: CN111391427B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 藤野望;梨木智刚 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B33/00;B32B7/023;B32B7/027;G02F1/1343;H01B1/02;H01B1/08;H01B5/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 透光 导电 薄膜 调光
【权利要求书】:

1.一种透光性导电薄膜,其特征在于,其为具备透光性基材和非晶质透光性导电层的透光性导电薄膜,

在将所述非晶质透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、

将对所述非晶质透光性导电层进行加热处理后的被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时,

满足下述(1)~(2)的条件,

(1)Ya≥Yc、

(2)0.65≤(Yc/Ya)×(Xc/Xa)≤1.8,

所述被加热透光性导电层的载流子密度Xc为15.0×1019/cm3以上。

2.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜,其特征在于,Xc相对于Xa的比(Xc/Xa)为1.05以上且1.80以下。

3.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜,其特征在于,所述被加热透光性导电层为非晶质。

4.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜,其特征在于,所述非晶质透光性导电层含有铟系导电性氧化物。

5.一种调光薄膜,其特征在于,依次具备第1透光性导电薄膜、调光功能层和第2透光性导电薄膜,

所述第1透光性导电薄膜和/或所述第2透光性导电薄膜为权利要求1所述的透光性导电薄膜。

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