[发明专利]半导体制造装置以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于，

具备：

上推单元，其具有与切割带接触的多个块、和设于该多个块的外侧而供所述切割带能够吸附的拱顶板，通过所述多个块而从所述切割带下方上推裸芯片；

能够上下移动的头部，其具有吸附所述裸芯片的筒夹；以及

控制部，其控制所述上推单元以及所述头部的动作，

所述上推单元构成为使所述多个块能够各自独立地动作，

所述控制部构成为，由多个步骤构成所述多个块的上推时序，基于能够针对每个块以及每个步骤设定所述多个块的高度以及速度的时间图制程来控制所述多个块的动作。

2.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

还具有能够检测所述上推单元的上推状况的检测器，

所述控制部构成为，基于一个上推时序期间内的所述检测器的检测结果，变更所述一个上推时序之内的动作。

3.根据权利要求2的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为，在最初的步骤中使所述多个块全部上升的情况下，在使所述多个块中的最外侧的块上升时由所述检测器检测泄漏，在该泄漏为规定值以下的情况下，继续使所述多个块全部上升。

4.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

所述时间图制程还构成为能够设定所述步骤的时间。

5.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为使各块到达所指定的位置优先并结束各步骤，

所述时间图制程还构成为能够设定从各块的上升或者下降结束起到下一步骤的开始时间的时间差。

6.根据权利要求4的半导体制造装置，其特征在于，

所述时间图制程还构成为能够设定各块的加速度。

7.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为使各块到达所指定的位置优先并结束各步骤，

所述时间图制程还构成为，能够设定各块的加速度以及用于各块的同步匹配的在上升或者下降结束后的等待时间。

8.根据权利要求5的半导体制造装置，其特征在于，

所述控制部构成为使各块到达所指定的位置优先并结束各步骤，

所述时间图制程还构成为能够设定成为所述时间差的基准的基准时间。

9.根据权利要求6的半导体制造装置，其特征在于，

所述时间、所述速度、所述加速度以及所述高度通过输入函数并基于计算结果来设定。

10.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

所述上推单元具有与所述多个所述块对应地独立进行动作的多个驱动轴。

11.根据权利要求1的半导体制造装置，其特征在于，

所述头部为拾取头，

还具备：

载置由所述拾取头拾取的裸芯片的中间台；以及

贴装头，其将载置于所述中间台的裸芯片贴装至基板或者已贴装的裸芯片上。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)工序，向具备具有与切割带接触的多个块且从所述切割带的下方上推裸芯片的上推单元、以及吸附所述裸芯片的筒夹的半导体制造装置，搬入保持所述切割带的晶片环；以及

(b)工序，利用所述上推单元上推所述裸芯片，并利用所述筒夹拾取所述裸芯片，

在所述(b)工序中，由多个步骤构成所述多个块的上推时序，基于能够针对每个块以及每个步骤设定所述多个块的高度以及速度的时间图制程，使所述多个块上升或者下降。