[发明专利]碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO4

权利要求书

1.一种碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO₄柔性易回收光催化材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

以Bi(NO₃)₃·5 H₂O和NaVO₃·2 H₂O为原料，加入一定尺寸的碳布，经溶剂热反应一定时间后得到碳布负载BiVO₄粉末；在Ar/H₂气氛中一定温度下退火一定时间，得到一种碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO₄柔性易回收光催化材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，碳布负载BiVO₄粉末由包括以下步骤的方法得到：将一定尺寸的碳布加入分散有Bi(NO₃)₃和NaVO₃的体系，在120℃～200℃进行溶剂热反应6~12 h，得到碳布负载BiVO₄粉末。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，碳布负载Bi/BiVO₄粉末由包括以下步骤的方法得到：将碳布负载BiVO₄粉末在Ar/H₂气氛中在300 ℃～400 ℃温度下退火5h～12h，得到碳布负载Bi/BiVO₄。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将0.4 mmol Bi(NO₃)₃·5 H₂O溶于16 ml甘油得到前驱体溶液A；将0.4 mmol NaVO₃·2 H₂O溶于16 ml去离子水得到前驱体溶液B；

2）将溶液A加入溶液B并剧烈搅拌，得到溶液C；将溶液C转移到聚四氟乙烯内衬的高压釜中，加入一定尺寸的碳布作为柔性基底，180 ℃保持8 h后得到合成产物D；

3）将溶剂热合成产物D经去离子水和乙醇洗涤，60 ℃烘干4 h后得到产物E；

4）产物E在比例范围为(95～70)%:(5～30)%的Ar/H₂气氛中，在300 ℃～400 ℃温度下退火5 h～12 h得到碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO₄柔性易回收光催化材料。

5.权利要求1-4任一项所述方法得到的碳布负载原位生长非贵金属Bi修饰BiVO₄柔性易回收光催化材料。

6.权利要求5所述的材料用于光催化降解污染物或者光催化产氧的应用。