[发明专利]一种薄膜器件在审

申请号：	202010216111.1	申请日：	2020-03-25
公开（公告）号：	CN111253086A	公开（公告）日：	2020-06-09
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	四川猛犸半导体科技有限公司
主分类号：	C03C17/36	分类号：	C03C17/36;C03C27/12;B32B17/10
代理公司：	厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218	代理人：	方惠春
地址：	644000 四川省宜宾市临港经开***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	一种薄膜器件
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【权利要求书】：

1.一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，其特征在于：所述膜层组件还包括GaMg界面膜层，所述GaMg界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间，所述GaMg界面膜层中Ga的含量67at％。

2.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述GaMg界面膜层中Ga的含量50at％。

3.根据权利要求2所述的薄膜器件，其特征在于：所述GaMg界面膜层中Ga的含量28at％。

4.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述GaMg界面膜层的厚度为0.05-10nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述牺牲膜层的厚度为0.1-8nm。

6.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述牺牲膜层的材料为NiCr、Ti、NiCrO_x、Cr、NiCrMo、CrO_x、MoO_x、TiMo、TiMoO_x、NiTi、TiO_x和NiTiO_x中的任意一种或它们的任一组合。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为两个，两个膜层组件依次层叠设置。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为三个，三个膜层组件依次层叠设置。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜层组件的数量为四个，四个膜层组件依次层叠设置。

10.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜器件，其特征在于：该薄膜器件用于制作成夹层薄膜器件或中空薄膜器件。

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