[发明专利]晶体管器件

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

多个晶体管单元(10)，所述多个晶体管单元(10)中的每一个包括在半导体主体(100)的第一区(110)中的第一掺杂类型的源极区(14)、第二掺杂类型的主体区(13)和第一掺杂类型的漂移区(11)、以及通过栅极电介质(16)与所述主体区(13)介电绝缘的栅电极(15)；

栅极导体(20)，其布置在所述半导体主体(100)的第二区(120)的顶部上并且电连接到所述多个晶体管单元(10)中的每一个的所述栅电极(15)；

源极导体(31)，其布置在所述半导体主体(100)的所述第一区(110)的顶部上并且连接到所述多个晶体管单元(10)中的每一个的所述源极区(14)和所述主体区(13)；

所述第二掺杂类型的放电区(50)，其布置在所述半导体主体(100)中的所述第二区(120)中并且至少部分地位于所述栅极导体下方，

其中，所述放电区(50)包括至少一个较低剂量部分(53₁、53₂)，在所述部分中掺杂剂量低于所述放电区(50)的其他部分中的最小掺杂剂量，并且

其中，所述至少一个较低剂量部分(53)与所述栅极导体(20)的拐角(21₁、21₂)相关联。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述至少一个较低剂量部分(53₁、53₂、53₃、53₄)与所述栅极导体(20)的拐角(21₁、21₂)相关联包括：所述拐角(21₁、21₂)的顶点与所述至少一个较低剂量部分(53₁、53₂)之间的最短距离小于150微米。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中，所述至少一个较低剂量部分(53₁、53₂、53₃、53₄)与所述栅极导体(20)的拐角(21₁、21₂)相关联包括：形成相应的拐角(21₁、21₂)的两侧的延伸部分的交点(S₁)与所述至少一个较低剂量部分(53₁、53₂)之间的最短距离小于150微米。

4.根据前述任一权利要求所述的晶体管器件，

其中，所述栅极导体(20)包括栅极焊盘部分(21)和栅极环部分(22)，

其中，所述栅极环部分(22)相邻于所述栅极焊盘部分(21)，并且

其中，所述栅极导体(20)的所述拐角(21₁、21₂)是所述栅极环部分(22)相邻于所述栅极焊盘部分(21)和/或所述栅极焊盘部分(21)的拐角的部分。

5.根据前述任一权利要求所述的晶体管器件，其中，所述放电区(50)相邻于所述多个晶体管单元(10)中的至少一个的所述主体区(13)。

6.根据权利要求5所述的晶体管器件，其中，与所述多个晶体管单元(10)的所述主体区(13)相比，所述放电区(50)从第一表面(101)更深地延伸到所述半导体主体(100)中。

7.根据前述任一权利要求所述的晶体管器件，其中，所述较低剂量部分(53)的所述掺杂剂量小于所述放电区(50)的其他部分(51)的最小掺杂剂量的10％。

8.根据权利要求2到6中任一项所述的晶体管器件，其中，所述至少一个较低剂量部分的大小在所述栅极焊盘部分(21)的大小的2％与10％之间。