[发明专利]基于Ga2 有效
| 申请号： | 202010216434.0 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111244203B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 董志华;周明;曾春红;林文魁;王育天;刘辉;李仕琦;刘国华;程知群 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ga base sub | ||
1.基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，衬底材料(5)上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料(5)上的N型Ga2O3层(4)以及设置在该Ga2O3层(4)部分区域上的P型CuI层(3)；在所述CuI层(3)上形成正极(2)，在所述Ga2O3层(4)的另外区域上形成负极(1)；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极(2)和负极(1)之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测；
所述负极(1)和Ga2O3层(4)形成欧姆接触；所述正极(2)和CuI层(3)形成欧姆接触；
所述CuI层(3)为在Ga2O3层(4)上形成CuI隔离岛；
所述CuI层(3)为在Ga2O3层(4)上形成多个间隔分布的CuI纳米条，所述正极(2)设置在多个CuI纳米条上。
2.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述Ga2O3层(4)与CuI层(3)之间还设有插入层，该插入层为本征半导体。
3.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述衬底材料(5)为Ga2O3衬底、GaN衬底或SiC衬底中任一种。
4.根据权利要求1所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，每个CuI纳米条的长度为100nm，宽度为1～200nm。
5.根据权利要求1或2所述的基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，其特征在于，所述正极(2)的材料为石墨烯或ITO；所述负极(1)的材料为Ti/Au。
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