[发明专利]一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法有效

专利信息
申请号: 202010216477.9 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN111430082B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 戚芬强;黄江波;顾宏伟 申请(专利权)人: 浙江星隆新材料科技有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/02
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 叶盛
地址: 313001 浙江省湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 复合 透明 导电 薄膜 封装 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法,属于纳米材料与柔性光电薄膜技术领域。该方法主要通过在银纳米线分散液(Ag NWS)中加入2‑甲基咪唑,混合均匀后涂布成膜,随后把Zn(NO3)2·6H2O溶液涂在膜的表面,自然风干后通过自组装在银纳米线的表面形成了以过渡金属Zn为连接点,2‑甲基咪唑为有机配体的晶体材料,简称ZOF。整个工艺及配方中没有用到任何的高分子树脂,因此纳米银线充分的展现了导电性;得到的透明导电膜由于ZOF在银纳米线节点处的沉积而实现节点“焊接”,其导电性能有提升;同时由于ZOF在银纳米线外表的沉积形成的核壳结构而导致其耐化学性、热稳定性及附着力都有很大的提升。

技术领域

本发明涉及纳米材料技术领域,具体涉及一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法。

背景技术

透明导电薄膜作为3C电子器件的核心部件之一,在触摸领域有极其重要的应用。近年来,银纳米线作为替代ITO(氧化铟锡)的重要材料得到了广泛的关注和大量的研究。其中,光学性能和导电性能是研究的重点,目前,银纳米线透明导电薄膜的光电性能研究到了一定阶段,对于企业而言,其光电性能在满足基本的工业应用外,更注重于其经济的适用性,生产简便性,以及其它与工业应用相匹配的性能。

目前商业化的银纳米线透明导电薄膜,都是在银纳米线导电层之上涂覆好溶剂类封盖层(over coating,以下简称OC)来增加其附着力,提升其耐化学性及热稳定性。涂覆OC的银纳米线透明导电薄膜不可避免的覆盖部分银纳米线,从而导致导电性下降;同时会带来彩虹纹现象,因而极大地影响了其表观性能。研究者们为此开发相匹配的树脂来改善彩虹纹现象,但这一现象并不能得到很好的解决,此外,涂覆OC需要更多的生产工序和高昂的成本,OC中大量的有机溶剂挥发时也会污染环境,这对于工业生产的综合适用性并不理想。基于此,我们不选用与银纳米线涂布液相匹配的树脂,而是通过核壳封装的方式整合内外两种材料的性质,并互相弥补自身的不足,二者通过协同作用来改善复合纳米材料的附着力,热稳定性,耐化学性。

发明内容

(一)要解决的技术问题

解决涂覆OC的银纳米线透明导电薄膜不可避免的覆盖部分银纳米线,从而导致导电性下降;同时会带来彩虹纹现象,因而极大地影响了其表观性能,此外,涂覆OC需要更多的生产工序和高昂的成本,OC中大量的有机溶剂挥发时也会污染环境,这对于工业生产的综合适用性并不理想的问题,提供了一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法。

(二)技术方案

一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法,包括以下步骤:

1)首先在银纳米线分散液中加入2-甲基咪唑,混合均匀后在基底涂布成膜:

2)把Zn(NO3)2·6H2O溶液涂在膜的表面,自然风干后通过自组装在银纳米线的表面形成了以过渡金属Zn为连接点,2-甲基咪唑为有机配体的晶体材料,即Zn-OrganicFrameworks,简称ZOF:

作为优选的技术方案,银纳米线分散液的量为500mL;

作为优选的技术方案,2-甲基咪唑的浓度为0.0556-0.556mol/L;

作为优选的技术方案,Zn(NO3)2·6H2O的浓度为0.0278-0.278mol/L。

作为优选的技术方案,银纳米线分散液的溶剂为水,乙醇,或异丙醇的混合溶剂,所述银纳米线分散液的浓度为0.05-0.25mg/mL。

作为优选的技术方案,基底为玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。

作为优选的技术方案,2-甲基咪唑的银纳米线涂布液涂覆方法为迈耶棒涂覆法,喷涂法,真空抽滤转印法,旋涂法中的一种。

作为优选的技术方案,把Zn(NO3)2·6H2O溶液涂在膜的表面的方法为喷涂。

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