[发明专利]相冗余方案中的OR-FET本体制动在审
| 申请号： | 202010217036.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111756242A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 普拉巴·乌帕德亚雅 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/088 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY1*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 冗余 方案 中的 or fet 本体 制动 | ||
1.一种用于改良直流到直流转换器中感应电流下降时间的方法，其特征在于，一个低端晶体管电耦合到一个电感器的第一端和地之间，一个OR-ing晶体管耦合到电感器的第二端和直流到直流转换器输出端之间，其中直流到直流转换器在相冗余电源中，该方法包括：
发生空载瞬态时，断开低端晶体管，断开OR-ing晶体管。
2.权利要求1所述的方法，其特征在于，低端晶体管和OR-ing晶体管都会在检测到空载瞬态时的30纳秒内断开。
3.权利要求1所述的方法，其特征在于，电感器通过OR-ing晶体管的体二极管和低端晶体管的体二极管释放能量。
4.权利要求1所述的方法，其特征在于，电感器感应电流下降时间小于2.4微秒。
5.一种在相冗余电源中的直流到直流转换器，其特征在于，包括：
一个电感器；
一个低端晶体管，电耦合到电感器的第一端和地之间；
一个OR-ing晶体管，电耦合到电感器的第二端和直流到直流转换器输出端之间；
一个相冗余控制器，交互耦合到OR-ing晶体管上，其特征在于，配置相冗余控制器，使OR-ing晶体管在发生空载瞬态时断开。
6.权利要求5所述的直流到直流转换器，其特征在于，低端驱动器接收的信号来自于脉冲宽度调制信号控制器，用于在发生空载瞬态时断开低端晶体管。
7.权利要求5所述的直流到直流转换器，其特征在于，低端晶体管和OR-ing晶体管都会在检测到空载瞬态时30纳秒内断开。
8.权利要求5所述的直流到直流转换器，其特征在于，电感器通过OR-ing晶体管的体二极管和低端晶体管的体二极管释放能量。
9.权利要求5所述的直流到直流转换器，其特征在于，电感器感应电流下降时间小于2.4微秒。
10.权利要求5所述的直流到直流转换器，其特征在于，还包括：
一个高端晶体管，电耦合到电感器的第一端和直流到直流转换器输入端之间。
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