[发明专利]紫外LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：

衬底；

生长在所述衬底表面的第一AlN层；

位于所述第一AlN层远离所述衬底一侧的第二AlN层；

位于所述第二AlN层远离所述衬底一侧的N型Al_aGa_1-aN欧姆接触层；

位于所述N型Al_aGa_1-aN欧姆接触层远离所述衬底一侧的Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层；

位于所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层远离所述衬底一侧的复合电子阻挡层；

位于所述复合电子阻挡层远离所述衬底一侧的P型Al_dGa_1-dN过渡层；

位于所述P型Al_dGa_1-dN过渡层远离所述衬底一侧的P型GaN欧姆接触层；

所述复合电子阻挡层为第一子层、第二子层、第三子层和第四子层交叠生长m个周期形成的超晶格结构，m≥2；所述第一子层为预通Mg的第一delta-Mg层，第二子层为P型Al_bGa_1-bN层，第三子层为预通Mg的第二delta-Mg层，第四子层为P型Al_cGa_1-cN层，且0cb1；其中，b表示所述P型Al_bGa_1-bN层中的Al组分，c表示所述P型Al_cGa_1-cN层中的Al组分。

2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，0≤d≤cb1；其中，d表示所述P型Al_dGa_1-dN过渡层中的Al组分。

3.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型Al_dGa_1-dN过渡层中的Al组分渐减。

4.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述复合电子阻挡层中，所述第一delta-Mg层和所述第二delta-Mg层的Mg掺杂浓度为1E+17cm^-3～1E+22cm^-3。

5.根据权利要求4所述的紫外LED外延结构，其特征在于，在所述复合电子阻挡层中，每个所述第一delta-Mg层和每个所述第二delta-Mg层中的Mg掺杂浓度渐增、渐减或恒定，每个所述P型Al_bGa_1-bN层和每个所述P型Al_cGa_1-cN层的Al组分渐增、渐减或恒定。

6.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层包括Al_xGa_1-xN量子阱和Al_yGa_1-yN量子垒，所述量子阱的Al组分x低于所述量子垒的Al组分y，即0xy≤1；

沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源层的周期厚度为3-40nm。

7.根据权利要求6所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述N型Al_aGa_1-aN欧姆接触层中的Al组分以及所述复合电子阻挡层中的Al组分均高于所述Al_xGa_1-xN量子阱中的Al组分。