[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的多个相互绝缘的LED芯粒；

每个所述LED芯粒背离所述衬底的表面均包括第一扩展电极和第二扩展电极；

位于相邻两个LED芯粒之间，且电性连接相邻两个LED芯粒的第一扩展电极和第二扩展电极，实现相邻两个LED芯粒串联的连接部；

所述连接部包括：

与所述第二扩展电极电性连接的连接电极，在第一方向上，所述连接电极的宽度大于所述第一扩展电极的宽度，所述第一方向与第二方向垂直，所述第二方向为相邻两个LED芯粒的中心连线的方向；

位于所述连接电极和所述第一扩展电极之间的过渡电极；

其中，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向线性递减。

3.根据权利要求2所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极的侧壁与所述第二方向的夹角范围为5°-70°，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向非线性减小。

5.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括位于衬底上沿背离所述衬底的方向依次设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；

其中，所述第一扩展电极位于所述第一半导体层表面；

且，所述过渡电极中至少部分位于所述第一半导体层表面上，与所述第一半导体层表面直接接触。

6.根据权利要求5所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极中位于所述第一半导体层表面的面积与所述过渡电极的总面积之比的范围为0.2-1.0，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，串联的多个LED芯粒的两个最外LED芯粒上，其中一个LED芯粒上设置有第一电极，另一个LED芯粒上设置有第二电极。

8.一种高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1-7任意一项所述的高压LED芯片结构，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个LED外延结构，所述LED外延结构包括第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；

去掉部分区域的所述第二半导体层、所述量子阱发光层，暴露出所述第一半导体层；

在LED外延结构上形成原胞隔离槽，所述原胞隔离槽暴露出所述衬底；

形成桥接绝缘隔离层，所述桥接绝缘隔离层覆盖部分所述第二半导体层、暴露的衬底以及所述第一半导体层的部分；

形成第一扩展电极、第二扩展电极和连接部，其中，所述第一扩展电极位于所述第一半导体层表面，所述第二扩展电极位于所述第二半导体上方，所述连接部包括连接电极和过渡电极，其中，所述连接电极位于所述桥接绝缘隔离层的表面。

9.根据权利要求8所述的高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，在形成所述第二扩展电极之前，还包括形成透明导电层，所述透明导电层覆盖部分所述桥接绝缘隔离层。

10.根据权利要求8所述的高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，在形成第一扩展电极、第二扩展电极和连接部的同时，还包括：

形成第一电极和第二电极。