[发明专利]OLED显示装置在审
| 申请号： | 202010217524.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111403448A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李远航 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 显示装置 | ||
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括：
TFT阵列基板；
OLED器件层，设置于所述TFT阵列基板上；
封装膜层，设置于所述TFT阵列基板及所述OLED器件层上；
其中，所述封装膜层包括一有机封装层，所述有机封装层中具有抗蓝光纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述抗蓝光纳米颗粒包括由内向外包覆的纳米金属氧化物、光吸收剂以及有机保护层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述纳米金属氧化物、所述光吸收剂和所述有机保护层的重量比为1：(0.2～0.5)：(0.5～1)。
4.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述纳米金属氧化物的微粒直径范围在5到15纳米之间。
5.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述光吸收剂的厚度范围在5到10纳米之间。
6.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述有机保护层的厚度范围在5到15纳米之间。
7.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述纳米金属氧化物的材质为氧化铟、氧化锡、二氧化锆、二氧化钛、三氧化二钛、三氧化二钬、三氧化二锑以及五氧化二锑中的任意一种。
8.根据权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述有机保护层的材质为丙烯酸树脂、环氧树脂以及纤维素有机酯中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述封装膜层还包括第一无机层以及第二无机层，所述第一无机层设置于所述TFT阵列基板及所述OLED器件层上，所述第二无机层设置于所述有机封装层上；所述第一无机层的材质为氮化硅、氧化硅、三氧化二铝以及碳化硅中的任意一种，所述第二无机层的材质与所述第一无机层的材质相同。
10.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述有机封装层通过喷墨打印工艺形成于所述第一无机层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
