[发明专利]一种PVT法生长高质量晶体的装置

权利要求书

1.一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：包括坩埚体(1)、承托盘(2)、轴(3)、过滤板(4)、坩埚盖(7)和籽晶托(8)，坩埚体(1)的上部可拆卸安装有籽晶托(8)，籽晶托(8)的上部可拆卸安装有坩埚盖(7)，过滤板(4)位于坩埚体(1)的内部，承托盘(2)滑动安装于坩埚体(1)的内部，包括托盘盘体(2-2)和连接腔体(2-3)，轴(3)穿过承托盘(2)与过滤板(4)连接，由实心圆柱段(3-1)、螺纹段(3-3)和连接支撑段(3-4)组成，坩埚体(1)与支架(5)通过第三支撑梁(5-3)固定连接，安装板(5-4)用于安装驱动机构(6)，支架(5)包括第一支撑梁(5-1)、第二支撑梁(5-2)、第三支撑梁(5-3)和安装板(5-4)；

坩埚体(1)包括生长室(1-1)和粉料室(1-2)，生长室(1-1)位于粉料室(1-2)的上侧，生长室(1-1)内安装有过滤板(4)，承托盘(2)滑动安装于粉料室(1-2)内，粉料室(1-2)的上部为圆台形；

驱动机构(6)包括步进电机(6-1)、旋转体第一铰座(6-2)、第二铰座(6-3)、第一连杆(6-4)、推力球轴承(6-5)、第二连杆(6-6)和旋转体第一铰座(6-7),步进电机(6-1)与安装板(5-4)固定连接，步进电机(6-1)的输出端与旋转体(6-2)固定连接，第二铰座(6-3)的数量为三个，第二铰座(6-3)圆周阵列在旋转体(6-2)的外侧，第二铰座(6-3)与旋转体(6-2)固定连接，第一连杆(6-4)的下端与第二铰座(6-3)铰接，第一连杆(6-4)的上端与第二连杆(6-6)铰接，第二连杆(6-6)与第一铰座(6-7)铰接，旋转体(6-2)通过推力球轴承(6-5)与连接支撑段(3-4)连接，第一铰座(6-7)的数量为三个，第一铰座(6-7)圆周阵列固定安装于托盘盘体(2-2)的下侧。

2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：所述粉料室(1-2)的内壁上加工有第一限位槽(1-3)，第一限位槽(1-3)与过滤板(4)建立安装。

3.根据权利要求2所述的一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：承托盘(2)包括托盘盘体(2-2)和连接腔体(2-3)，连接腔体(2-3)的下端加工有连接腔体螺纹(2-4)，托盘盘体(2-2)的中心加工有一个导向通孔，连接腔体(2-3)与托盘盘体(2-2)同轴心固定连接。

4.根据权利要求3所述的一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：轴(3)上依次加工实心圆柱段(3-1)、螺纹段(3-3)和连接支撑段(3-4)，实心圆柱段(3-1)上加工有第二限位销(3-2)，第二限位销(3-2)与过滤板(4)建立安装，轴(3)与托盘盘体(2-2)同轴安装，实心圆柱段(3-1)与托盘盘体(2-2)的中心加工有一个导向通孔滑动连接，螺纹段(3-3)通过连接腔体螺纹(2-4)与承托盘(2)连接。

5.根据权利要求4所述的一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：所述过滤板(4)包括外侧带销支撑环体(4-1)、支杆(4-2)、多孔过滤网(4-3)和内侧带槽的支撑环体(4-4)，外侧带销支撑环体(4-1)与内侧带槽的支撑环体(4-4)同轴安装，外侧带销支撑环体(4-1)和内侧带槽的支撑环体(4-4)通过支杆(4-2)固定连接，外侧带销支撑环体(4-1)与内侧带槽的支撑环体(4-4)之间固定安装有多孔过滤网(4-3)，外侧带销支撑环体(4-1)与第一限位槽(1-3)可拆卸连接，外侧带销支撑环体(4-1)被第一限位槽(1-3)径向固定，第二限位销(3-2)与内侧带槽的支撑环体(4-4)可拆卸连接，内侧带槽的支撑环体(4-4)通过第二限位销(3-2)将轴(3)径向固定。

6.根据权利要求4所述的一种PVT法生长高质量晶体的装置，其特征在于：还包括支架(5)，所述支架(5)包括第一支撑梁(5-1)、第二支撑梁(5-2)、第三支撑梁(5-3)和安装板(5-4)，第一支撑梁(5-1)和第二支撑梁(5-2)的数量各为四个，四个第二支撑梁(5-2)固定连接成正方形，四个第一支撑梁(5-1)分别位于正方形第二支撑梁(5-2)的四个角，第一支撑梁(5-1)上部与正方形第二支撑梁(5-2)固定连接，第一支撑梁(5-1)下部与安装板(5-4)固定连接，坩埚体(1)与支架(5)通过第三支撑梁(5-3)固定连接。