[发明专利]一种存储器件的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成第一电极层；

通过原位沉积真空系统，在第一电极层上依次形成第一应力调节层、铁电材料层和第二应力调节层，包括：在第一沉积腔进行第一应力调节层的沉积，通过传送模块在真空状态下将所述衬底从第一沉积腔传送到第二沉积腔，在第二沉积腔进行铁电材料层的沉积，通过传送模块在真空状态下将所述衬底从第二沉积腔传送到第一沉积腔，以及在第一沉积腔进行第二应力调节层的沉积；

在第二应力调节层上形成第二电极层，

所述铁电材料层包括以下材料中的一种或多种：HfO_x、AlO_x、ZrO_x、LaO_x、TaO_x、NbO_x、GdO_x、YO_x、SiOx、SrO_x或这些材料的复合，

其中进行第一应力调节层的沉积之前还包括：在原位沉积真空系统的刻蚀腔内对所述衬底进行刻蚀；以及通过传送模块在真空状态下将所述衬底从刻蚀腔传送到第一沉积腔，

其中第一应力调节层和第二应力调节层通过原子层沉积工艺形成，所述第一应力调节层和所述第二应力调节层包括以下材料中的一种或多种：TiNx、TaNx、TiAlNx、TiCNx或这些材料的复合，

第一应力调节层和第二应力调节层与铁电材料层具有锐利的界面，两者之间没有用于过渡的无定型界面层，并且第一应力调节层和第二应力调节层与铁电材料层的界面处没有氧、氮共存区。

2.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，通过调节原子层沉积工艺的温度、气体流量、压强和/或等离子功率来调节第一应力调节层和第二应力调节层内的应力。

3.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层包括以下材料中的一种或多种：TiNx、TaNx、TiAlNx、TiCNx、TaAlNx、TaCNx、AlNx、Ru、RuOx、Ir、IrOx、W、WCNx、WSix、Pt、Au、Ni、Mo或这些材料的复合。

4.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一应力调节层和所述第二应力调节层的厚度在1nm至20nm的范围内。

5.一种使用权利要求1-4中任一项所述方法制造的存储器件，包括：

第一电极层；

设置在所述第一电极层上方的第一应力调节层；

设置在所述第一应力调节层上方的铁电材料层；

设置在所述铁电材料层上方的第二应力调节层；以及

设置在所述第二应力调节层上方的第二电极层。

6.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述第一应力调节层和/或所述第二应力调节层具有内应力。