[发明专利]高增益微波多普勒探测模块

权利要求书

1.一高增益微波多普勒探测模块，其特征在于，包括：

至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/32的距离范围内相互靠近，其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16且小于等于λ的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16且小于等于λ的线长，如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置；和

一电磁反射面，其中所述对偶耦合极子于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面相间隔地被设置，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ/32且小于等于λ/2，其中所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端相对于所述第一馈电端靠近所述电磁反射面，所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端相对于所述第二馈电端靠近所述电磁反射面，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极在垂直于所述电磁反射面方向均具有大于等于λ/32且小于等于λ/4的尺寸。

2.根据权利要求1所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述高增益微波多普勒探测模块进一步包括一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，其中所述振荡电路单元被设置允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地以作为一激励信号馈源，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端被电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被电性连接于所述振荡电路单元的地极，如此以当所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被所述振荡电路单元同源馈电。

3.根据权利要求2所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述电磁反射面阻隔于所述对偶耦合极子和所述电路单元之间。

4.根据权利要求3所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述高增益微波多普勒探测模块进一步包括一电路基板，其中所述电磁反射面和所述电路单元于所述电路基板的两相对面被承载于所述电路基板。

5.根据权利要求4所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述高增益微波多普勒探测模块进一步包括一第一馈电线和一第二馈电线，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端经所述第一馈电线被电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端经所述第二馈电线被电性连接于所述振荡电路单元的地极。

6.根据权利要求5所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线自所述第一馈电端一体延伸于所述第一辐射源极，所述第二馈电线自所述第二馈电端一体延伸于所述第二辐射源极。

7.根据权利要求6所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线和所述第二馈电线为相互平行的柱状直导电线。

8.根据权利要求6所述的高增益微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线具有一第一馈电段和在偏离于所述第一馈电段的方向一体延伸于所述第一馈电段一第一耦合段，其中所述第二馈电线具有一第二馈电段和在偏离于所述第二馈电段的方向一体延伸于所述第二馈电段的一第二耦合段，其中所述第一馈电段和所述第二馈电段为相互平行的柱状直导电线并分别自所述第一馈电端和所述第二馈电端延伸。