[发明专利]一种洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法有效
| 申请号： | 202010219528.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111204771B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 魏奎先;马文会;王杰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 洋葱 结构 高纯 球形 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)将高纯二氧化硅和高纯碳混合均匀置于加热反应器中，在温度为1500～2200℃下进行碳热还原反应得到SiO和CO的混合气体以及底层硅熔体；其中高纯二氧化硅和高纯碳的摩尔比为(1～2):1；
(2)利用气体捕集装置将步骤(1)SiO和CO混合气体导入冷凝管道中，同时将过量氧气匀速通入冷凝管内与SiO和CO混合气体反应生成高纯球形纳米SiO2核和CO2；
(3)控制冷凝管道的温度梯度，调控步骤(2)高纯球形纳米SiO2核外层SiO2生长的层数和粒度得到洋葱结构的高纯球形纳米SiO2；其中冷凝管道的温度梯度为10～100℃/m；
(4)气固分离洋葱结构的高纯球形纳米SiO2和CO2气体。
2.根据权利要求1所述洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于：SiO和CO混合气体中SiO的体积分数为70～95％。
3.根据权利要求1所述洋葱结构的高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于：氧气的通入摩尔量为氧气与SiO、CO反应所需摩尔量的1.05～1.15倍。
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