[发明专利]碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基在审
申请号: | 202010219800.8 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111499410A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 何利文;蒋梦婷;欧阳晓平 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85;C04B41/91;C23C16/02;C23C16/27 |
代理公司: | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷;田利琼 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 cvd 金刚石 涂层 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
S1、基体预处理:将碳化硅基体打磨,抛光,洗涤,烘干;
S2、酸处理:将预处理后的碳化硅基体置于盐酸溶液中进行超声清洗,取出后用去离子水清洗干净;
S3、碱处理:将酸处理后的碳化硅基体置于氢氧化钠溶液中,加热碱煮,然后用去离子水清洗并烘干;
S4、硅烷偶联剂改性:将碱处理后的碳化硅基体浸渍在硅烷偶联剂溶液中接枝24h,后烘干;
S5、涂层的制备:将改性处理后的碳化硅基体置于化学气相沉积炉中,通入H2和CH4,沉积金刚石涂层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1中:
所述打磨选用1500#砂纸;
所述抛光选用DSM80-100抛光机;
所述洗涤用无水乙醇超声清洗15-30min,以去除碳化硅基体上的有机物或无机物杂质;
所述烘干温度为80-120℃,时间为1-2h。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S2中:
所述盐酸溶液的浓度为10-30%,超声清洗时间为10-40min。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤S2中:
所述盐酸溶液的浓度为20%,超声清洗时间为10-30min。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S3中:
所述氢氧化钠溶液的浓度为1-3mol/L;
所述加热碱煮温度为80℃,时间为2-4h;
烘干温度为80-120℃,时间为0.5-1h。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤S3中:
所述氢氧化钠溶液的浓度为2mol/L;
所述加热碱煮温度为80℃,时间为2-4h;
烘干温度为80-120℃,时间为0.5-1h。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S4中:
所述硅烷偶联剂为KH550,所述硅烷偶联剂溶液包括硅烷偶联剂、乙醇和水,其中硅烷偶联剂:乙醇:水的重量比为1:11:1;
所述烘干温度为80-120℃,时间为1-2h。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S5中:
化学气相沉积中所采用的原料为H2和CH4,H2的重量份数为3-5,CH4的重量份数为1-2。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S5中:
沉积温度为800-1000℃,沉积时间为16-20h,沉积气压为3-6KPa。
10.一种根据权利要求1-9任一项所述的方法制备的具有CVD金刚石涂层的碳化硅基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学,未经湘潭大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010219800.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工厂化养虾排污口防跑虾装置
- 下一篇:一种舵承套安装工装