[发明专利]卤素灯的检测方法、装置及设备

说明书

本申请实施例公开了一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。所述方法包括：在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。该技术方案实现了对具有损坏风险的卤素灯的预警效果，避免了卤素灯损坏后对设备的周围部件造成影响的情况，从而降低对设备的异常维护频率，提高设备的竞争力。

技术领域

本发明涉及微电子及设备检测技术领域，尤其涉及一种卤素灯的检测方法、装置及设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法外延，作为一种借助空间气相化学反应在衬底表面沉积固态薄膜的一种气相外延生长技术，因其相关设备简单、生长参数容易控制、重复性好，是目前硅外延生长的主要方法。

目前的CVD硅外延设备主要有多片和单片两种。多片CVD设备使用感应加热方式，升温和降温效率较低；并且采用真空机械手取放片的方式，越来越难以满足客户对高晶片边缘质量的要求。此外，多片CVD设备较大的矩形腔室设计在薄膜外延方面没有明显优势，也难以满足更大尺寸晶片(8寸以上)的外延要求。而单片CVD设备采用红外加热方式及表面非接触式取放片方式，具有圆形腔室结构以及对8寸以上晶片外延的较好开发能力，恰好弥补了多片CVD设备的缺点，是目前CVD硅外延设备的较佳选择。

单片CVD设备使用红外卤素灯进行加热。红外卤素灯由灯丝、玻璃管壁、内部填充气体等组成。相对于多片CVD设备的感应线圈，红外卤素灯的升温效率和降温效率较高，但是红外卤素灯比石墨材质的感应线圈更易损坏，并有可能波及周围反射屏或其他腔室部件，降低周围部件的使用寿命，并增加维护频率。因此，如何避免由红外卤素灯损坏引发的不良影响，是降低损失和单片CVD设备异常维护频率的关键问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种卤素灯的检测方法、装置及设备，用以解决无法对卤素灯损坏进行预警的问题。

为解决上述技术问题，本申请实施例是这样实现的：

一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测方法，包括：

在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；

判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；

若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；

若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示所述卤素灯具有损坏风险。

另一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测装置，包括：

第一获取模块，用于在卤素灯处于加热状态时，获取所述卤素灯的灯管参数信息；所述灯管参数信息包括灯管功率和灯管阻抗；

第一判断模块，用于判断所述灯管功率是否位于预设功率范围内；

第二判断模块，用于若所述灯管功率位于所述预设功率范围内，则判断所述灯管阻抗是否低于预设阻抗阈值；

第一预警模块，用于若所述灯管阻抗低于所述预设阻抗阈值，则发出第一预警信息；所述第一预警信息用于提示对所述卤素灯具有损坏风险。

再一方面，本申请实施例提供一种卤素灯的检测设备，包括腔室，以及设置于所述腔室内的卤素灯、处理器；其中：

所述卤素灯，用于为所述腔室提供热源；